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GA1210A102GBAAT31G 发布时间 时间:2025/5/13 16:15:44 查看 阅读:3

GA1210A102GBAAT31G 是一款高性能的功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动和逆变器等高功率电子设备中。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关速度等特点,能够显著提升系统的效率和可靠性。
  该型号是英飞凌(Infineon)旗下的 MOSFET 系列产品之一,适用于工业和消费类电子产品中的各种功率转换场景。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):120A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
  总功耗(Ptot):180W
  结温范围(Tj):-55℃ to +175℃
  封装形式:D2PAK-7 (TO-263-7)

特性

GA1210A102GBAAT31G 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),可以有效降低功率损耗,提升系统效率。
  2. 高额定电流能力,支持高达 120A 的连续漏极电流,适合高功率应用场景。
  3. 快速开关性能,优化了开关损耗,特别适合高频开关应用。
  4. 耐雪崩能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅设计。
  6. 优异的热性能,能够在极端温度范围内稳定工作。
  这些特性使得 GA1210A102GBAAT31G 成为大功率转换器和驱动器的理想选择。

应用

GA1210A102GBAAT31G 主要用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),如服务器电源、通信电源和适配器。
  2. 工业电机驱动,包括伺服电机和步进电机控制。
  3. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统。
  4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的 DC/DC 和 DC/AC 转换模块。
  5. UPS(不间断电源)系统。
  6. 各种工业自动化设备和消费类电子产品的功率管理单元。
  其高电流处理能力和快速开关性能使其成为这些领域的核心元器件。

替代型号

IPA60R190PFA
  IRFP260N
  FDP16N10
  IXFN120N10T2

GA1210A102GBAAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1000 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-