VHF060303HQ0N8ST 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高频率、高功率射频放大器芯片,广泛应用于通信、雷达和卫星系统等领域。该芯片设计用于在高频段提供卓越的输出功率和效率,同时保持较小的尺寸和较低的热耗散。其封装形式适合表面贴装技术 (SMT),便于大规模生产与集成。
这款 GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件具有宽带宽特性,能够在高频条件下实现线性放大的同时降低失真。由于其出色的性能,VHF060303HQ0N8ST 成为现代射频系统中不可或缺的核心元件。
型号:VHF060303HQ0N8ST
工作频率范围:1 GHz 至 20 GHz
输出功率:40 W(典型值)
增益:15 dB(典型值)
效率:60%(典型值)
Vds(漏源电压):50 V
Rds(on)(导通电阻):10 Ω
封装类型:QFN-8
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
VHF060303HQ0N8ST 的主要特性包括:
1. 高输出功率和高效率,在高频应用中表现出色。
2. 氮化镓材料确保了更高的击穿电压和更低的热阻。
3. 宽带宽支持多频段操作,适应多种射频应用场景。
4. 小型化封装使其能够轻松集成到紧凑型设备中。
5. 出色的线性度和低失真特性,适用于高性能通信系统。
6. 内置保护电路防止过压和过流损坏,提升了可靠性。
7. 工作温度范围广,适用于恶劣环境下的长期运行。
VHF060303HQ0N8ST 主要应用于以下领域:
1. 无线通信基站中的射频功率放大器。
2. 军用雷达和卫星通信系统的高功率发射模块。
3. 医疗成像设备中的高频信号发生器。
4. 测试与测量仪器中的高性能信号源。
5. 点对点微波链路中的功率放大组件。
6. 航空航天领域的导航和数据链路系统。
该芯片凭借其卓越的性能,满足了现代射频系统对于高效能和小体积的需求。
VHF060303HQ1N8ST
VHF060303HQ2N8ST
VHF060303HQ3N8ST