时间：2025/4/29 17:57:20
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IKQ120N60T 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-247 封装形式，适用于高电压和高电流的应用场景。其耐压值高达 600V，并具有低导通电阻的特性，能够有效降低功耗并提高系统效率。
这款 MOSFET 的设计特别适合工业、汽车以及消费类电子设备中的开关电源、逆变器、电机驱动等应用。通过优化的芯片结构和封装技术，IKQ120N60T 提供了出色的热性能和电气性能。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：120A
导通电阻（典型值）：150mΩ
栅极电荷：85nC
总电容：3300pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
IKQ120N60T 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，可承受高达 600V 的漏源电压，适用于各种高压应用场景。
2. 低导通电阻，典型值为 150mΩ，在大电流条件下可以减少功率损耗。
3. 快速开关速度，得益于较低的栅极电荷（85nC），从而提高了工作效率。
4，从 -55℃ 到 +175℃，能够在极端环境下稳定运行。
5. TO-247 封装提供良好的散热性能，便于安装和集成到各种电路板中。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于满足国际法规要求。
IKQ120N60T 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中作为主开关管或同步整流管。
2. 太阳能逆变器和其他类型的 DC-DC 或 DC-AC 转换器。
3. 电机驱动，例如工业马达控制、电动车窗及座椅调节系统等。
4. 不间断电源 (UPS) 和电池管理系统 (BMS)。
5. 各种需要高电压、大电流开关的工业和消费类电子产品。
IRFP460N, FQA127N65S3, IXYS GEM120N60T2
