时间：2025/7/14 16:46:18
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WP3A10HD是一款由日本东芝（Toshiba）公司生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率器件，主要用于高电流和高电压应用场景。该型号属于N沟道增强型MOSFET，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及马达控制等领域。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：10A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约6.5mΩ（典型值）
封装形式：TO-252（DPAK）
WP3A10HD具有低导通电阻的特点，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
其快速开关性能使其非常适合高频操作环境，从而减小外部元件的尺寸和成本。
采用TO-252封装，具备良好的热管理和散热能力，确保在高负载条件下的稳定性。
此外，这款MOSFET内置了防静电保护电路，提高了器件的可靠性和使用寿命。
由于其优良的电气特性和物理封装设计，WP3A10HD被广泛应用于各种电力电子设备中。
常见于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统和电动工具等需要高效能功率开关的场合。
也可用于工业自动化设备中的电机驱动与控制模块。
另外，在汽车电子系统如车载充电器和逆变器中也有广泛应用。
TPH3R30ANL, Si4410DY
