型号：VG1062
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：18 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：72 A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：14 mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：19 mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：2.1 V（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1350 pF @ VDS=25V
　　开关时间（开启时间）：13 ns
　　开关时间（关断时间）：22 ns
　　二极管反向恢复时间（trr）：26 ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8L

VG1062采用Vishay专有的TrenchFET技术，这种先进的制造工艺通过优化沟道结构显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提升了整体能效。其低RDS(on)特性使得器件在大电流应用中表现出色，尤其是在同步整流和负载开关场景下能够有效降低温升，延长系统寿命。该MOSFET具备快速的开关速度，得益于较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），使其非常适合高频开关电源设计，如DC-DC降压变换器或POL（Point-of-Load）转换器。此外，VG1062的封装采用无铅且符合RoHS标准，内部引线连接方式优化了热阻性能，使热量能更高效地从芯片传递到PCB，提高了散热效率。
　　另一个关键优势是其良好的热稳定性和可靠性。在高温环境下，VG1062仍能保持稳定的电气参数，避免因温度上升导致性能下降或失效。器件还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下承受一定的能量冲击而不损坏，适用于存在感性负载的应用场景。此外，其栅极氧化层经过特殊处理，具备较高的ESD耐受能力，通常可达HBM 2kV以上，增强了在生产装配和现场使用中的安全性。综合来看，VG1062不仅在性能上满足现代高密度电源设计的需求，同时在可靠性和环境适应性方面也表现优异，是一款适用于多种中功率应用场景的理想选择。

VG1062广泛应用于各类需要高效能、小体积功率开关的电子系统中。常见用途包括同步整流型DC-DC转换器，特别是在非隔离式降压（Buck）电路中作为下管使用，利用其低导通电阻减少传导损耗，提升转换效率。此外，在电机驱动电路中，该器件可用于H桥拓扑中的开关元件，驱动直流电机或步进电机，提供快速响应和低功耗运行。它也常用于电源管理单元中的负载开关，控制不同模块的供电通断，实现节能待机或热插拔功能。在电池供电设备如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中，VG1062被用于电源路径管理和充放电控制回路，确保系统安全可靠运行。
　　在工业自动化领域，该MOSFET可用于PLC模块、传感器供电电路和继电器驱动接口，提供稳定的开关控制能力。通信设备中的板级电源系统同样依赖此类高性能MOSFET来构建高效的电压调节模块（VRM）。由于其小型化封装和优良的热性能，VG1062特别适合空间受限但对散热有较高要求的设计。此外，在LED驱动电源、USB PD充电器、智能电表等消费类和工业类产品中也有广泛应用。其高可靠性与宽温度工作范围使其能在恶劣环境中稳定运行，满足工业级应用需求。总的来说，VG1062凭借其优异的电气特性与坚固的封装设计，成为众多中压、中等电流功率开关应用中的首选器件之一。

SiSS106DN-T1-GE3,Si7860DP-T1-GE3,IRLML6344TRPBF,FDS6680A