时间：2025/6/11 17:08:47
阅读：6
B100NF04是一种高压、高功率的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等场景。该器件采用TO-220封装形式，具有低导通电阻和高耐压特性，能够在高频开关条件下提供高效的性能表现。
B100NF04属于快速恢复类型MOSFET，其额定电压为400V，能够承受较高的漏源极电压，同时具备100A的脉冲电流能力，非常适合用于大功率应用场合。
最大漏源电压：400V
连续漏极电流：6.9A
脉冲漏极电流：100A
栅极阈值电压：2.5V~4.5V
导通电阻（在Vgs=10V时）：0.18Ω
总功耗：140W
工作温度范围：-55℃~+150℃
B100NF04具有以下显著特点：
1. 高电压处理能力：额定漏源电压高达400V，适用于需要较高电压等级的应用场景。
2. 快速开关性能：由于采用了先进的制造工艺，B100NF04的开关速度较快，有助于降低开关损耗。
3. 低导通电阻：在栅极驱动电压为10V时，导通电阻仅为0.18Ω，从而减少了导通状态下的功率损耗。
4. 高可靠性：该器件通过了严格的可靠性测试，确保在极端工作条件下的稳定运行。
5. TO-220封装：这种封装形式便于散热设计，并且适合自动化生产环境。
B100NF04因其高性能和高可靠性被广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：包括适配器、充电器以及工业用开关电源等。
2. 电机驱动：如家用电器中的电机控制、工业设备中的电机驱动电路。
3. 逆变器：太阳能逆变器、不间断电源（UPS）系统中的关键元件。
4. 直流-直流转换器：用于汽车电子、通信设备等领域。
5. 其他大功率开关应用：例如电磁阀驱动、LED驱动等。
IRFZ44N, STP10NK60Z, FQP17N20
