时间：2025/5/10 10:13:27
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VG039NCHXTB105 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高性能功率晶体管，专为高频、高效能开关应用设计。该器件采用增强型常闭 (E-Mode) 工艺制造，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于各种电源管理场景，如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器、无线充电模块及高效率逆变器等。
由于其卓越的电气性能和热特性，VG039NCHXTB105 成为替代传统硅基 MOSFET 的理想选择。同时，它还支持更小尺寸的设计，进一步优化了空间利用率。
型号：VG039NCHXTB105
类型：GaN 功率晶体管
工作电压：650V
导通电阻：100mΩ（典型值）
最大电流：20A
封装形式：TO-220
栅极驱动电压：4.5V 至 6V
开关频率：最高可达 2MHz
结温范围：-55°C 至 +175°C
1. 高击穿电压：650V，确保在高压环境下稳定运行。
2. 极低的导通电阻：100mΩ（典型值），降低传导损耗。
3. 快速开关速度：支持高达 2MHz 的开关频率，显著提高系统效率。
4. 增强型常闭结构：无需额外的复杂电路即可实现安全操作。
5. 出色的热性能：通过高效的散热设计，即使在高温条件下也能保持优异表现。
6. 小型化设计：相比传统的硅基 MOSFET，提供更高的功率密度。
1. AC-DC 和 DC-DC 转换器：用于提高转换效率和减小设备体积。
2. 开关电源 (SMPS)：实现高频开关以减少磁性元件的使用。
3. 充电器和适配器：支持快充协议，提升充电效率。
4. 无线充电模块：优化无线能量传输效率。
5. 太阳能微型逆变器：利用 GaN 技术提高 MPPT 跟踪效率。
6. 激光雷达 (LiDAR) 系统：作为高速开关组件，用于精确测距。
KGD100N65S8,
GAN041-650WSA,
TP65H010G4
