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SI3447BDV-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/11 9:53:02 查看 阅读:15

SI3447BDV-T1-E3 是一款由 Silicon Labs 提供的高集成度、低功耗蓝牙 5.0 系统级封装 (SiP) 模块。该模块集成了高性能 ARM Cortex-M4 内核处理器、射频收发器、闪存、RAM 和其他外设,适用于各种物联网 (IoT) 应用场景。
  此模块专为简化开发过程而设计,通过将所有必要组件集成在一个紧凑的封装中,开发者无需深入研究射频设计和天线调谐即可快速实现蓝牙功能。

参数

工作电压:1.71 V 至 3.6 V
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装形式:QFN32
  尺寸:6.5 mm x 6.5 mm x 1.2 mm
  蓝牙版本:Bluetooth 5.0
  发射功率:+6 dBm
  接收灵敏度:-96 dBm
  处理器:ARM Cortex-M4

特性

SI3447BDV-T1-E3 拥有强大的处理能力和超低功耗,适合需要长时间运行的电池供电设备。其 ARM Cortex-M4 核心支持浮点运算,并具有高达 1 MB 的闪存和 256 KB 的 RAM,能够满足复杂的物联网应用需求。
  该模块具备出色的无线性能,在 +6 dBm 发射功率下提供稳健的连接距离,同时 -96 dBm 的接收灵敏度确保了即使在弱信号环境下的可靠通信。
  此外,它还内置丰富的外设接口,如 UART、SPI、I2C 和 GPIO 等,极大地方便了与外部设备的交互。模块自带的天线进一步降低了硬件设计难度,非常适合快速原型开发及量产。

应用

SI3447BDV-T1-E3 广泛应用于智能家居设备(例如智能灯泡、温控器等)、可穿戴设备(如健身追踪器、智能手表等)、医疗健康设备(如脉搏血氧仪、电子体温计等)以及工业自动化领域中的无线传感器节点。
  凭借其低功耗特性和紧凑尺寸,这款模块非常适合对空间和能耗要求苛刻的应用场景。

替代型号

SI3447CDV-T1-E3
  SI3448BDV-T1-E3

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SI3447BDV-T1-E3参数

  • 数据列表SI3447BDV
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C40 毫欧 @ 6A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI3447BDV-T1-E3TR