时间：2025/6/17 5:17:05
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FM31N103J631EEG 是富士通微电子（Fujitsu）生产的一款高性能、低功耗的FRAM存储器芯片。该芯片结合了非易失性存储器和随机存取存储器的优点，具有快速写入、高耐用性和低功耗等特点，适用于需要频繁数据记录和断电保护的应用场景。
FRAM（铁电随机存取存储器）是一种新型的非易失性存储技术，其数据保存能力不依赖于电池供电，并且在写入速度和耐久性方面远超传统EEPROM或闪存。
容量：256Kb
接口类型：SPI
工作电压：1.8V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：WLCSP-6（晶圆级芯片尺寸封装）
数据保留时间：超过10年
擦写周期：10^12 次
FM31N103J631EEG 的主要特性包括：
1. 高速写入：相比传统的EEPROM或闪存，FRAM的写入速度更快，无需等待写入完成即可继续操作。
2. 超高耐用性：支持高达10^12次的擦写周期，非常适合需要频繁更新数据的应用。
3. 低功耗：FRAM在写入数据时消耗的功率远低于闪存或EEPROM，特别适合电池供电设备。
4. 非易失性：即使断电后，数据也能被完整保存，无需额外的电池备份。
5. 小型封装：采用WLCSP-6封装形式，有助于节省PCB空间，适合紧凑型设计。
6. 宽工作电压范围：支持从1.8V到3.6V的工作电压，适应性强。
该芯片广泛应用于工业、医疗、消费电子和汽车等领域，具体包括：
1. 数据记录设备：如电力仪表、环境监测仪等，用于实时保存关键数据。
2. 医疗设备：如便携式健康监测仪，用于存储患者的生理数据。
3. 工业控制：如PLC模块、传感器节点，用于保存配置参数和运行状态。
4. 消费类电子产品：如智能手表、智能家居设备，用于存储用户设置和历史数据。
5. 汽车电子：如事件记录仪，用于保存驾驶数据以备分析。
MB85RS256TY, FM25L256B
