制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：NoBL? SyncBurst SRAM
　　存储器类型：Dual-Port SRAM
　　存储容量：2 Mbit
　　组织结构：256K × 18
　　接口类型：Synchronous, NoBL?
　　时钟频率：333 MHz
　　访问时间：3 ns
　　供电电压：1.8V ±0.15V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：165-ball BGA (11×15 mm)
　　引脚数：165
　　数据总线宽度：18-bit
　　内存接口：Double Data Rate (DDR)
　　写入模式：Flow-Through Write
　　读取模式：Pipelined Read
　　同步模式：Yes
　　JEDEC标准：符合LPDDRII类电压规范
　　掉电数据保持：支持低功耗待机模式
　　内置终端电阻：On-chip termination (ODT)
　　时钟输入：Differential (K/K#)
　　选通信号：Separate Byte Write Enables (BWx#), Global Write Enable (GW#)
　　输出使能：Global Output Enable (OE#)
　　刷新机制：无（SRAM特性）
　　可靠性：高抗辐射与热稳定性设计

CY7C1320KV18-333BZXC的核心特性之一是其NoBL?（No Bus Latency）架构，这一技术消除了传统突发SRAM中常见的总线空闲周期，使得每个时钟边沿都能进行有效的数据传输，极大提升了有效带宽利用率。在333MHz的工作频率下，该器件能够实现高达666 MB/s的数据吞吐率（每端口），并支持双端口并发访问，即两个端口可以同时执行读/写操作而不会产生冲突，这对于构建高性能交换结构、缓冲队列和共享内存系统至关重要。
　　另一个关键特性是其差分时钟架构（K/K#），这不仅提高了抗噪能力和时序精度，还支持DDR（双倍数据速率）操作，在每个时钟的上升沿和下降沿都进行数据采样，进一步翻倍了数据传输效率。此外，器件配备了可编程输出驱动强度和片上终端电阻（ODT），可在不同负载条件下优化信号完整性，减少反射和串扰，尤其适用于长走线或多负载环境下的高速PCB设计。
　　CY7C1320KV18-333BZXC还具备灵活的写入控制机制，包括字节写使能（BW0#/BW1#）、全局写使能（GW#）和全局输出使能（OE#），允许细粒度的数据更新和功耗管理。当处于非活动状态时，器件支持低功耗待机模式，显著降低静态电流消耗，满足绿色电子产品的能效要求。所有输入/输出均兼容1.8V LVCMOS/LVDS电平标准，并具有高噪声容限和严格的传播延迟控制，确保系统稳定运行。整体设计兼顾高速性、可靠性和易用性，是高端通信基础设施中的理想选择。

CY7C1320KV18-333BZXC广泛应用于对数据吞吐量和延迟极为敏感的高性能系统中。典型应用场景包括电信交换设备、路由器和网络线卡中的报文缓冲与查找表存储；在无线基站和光传输设备中用于前向错误校正（FEC）处理、帧同步和协议转换等实时任务；也可作为多处理器系统的共享内存模块，实现CPU之间高效的数据交换与协同处理。
　　在工业自动化领域，该器件可用于高端PLC控制器、机器视觉系统和测试测量仪器中，承担高速数据采集缓存和图像帧存储功能。由于其双端口架构无需外部仲裁逻辑即可实现并行访问，因此特别适合构建简洁高效的嵌入式架构，减少系统复杂度和延迟。此外，在军事与航空航天电子系统中，因其具备良好的温度适应性和长期供货保障，也被用于雷达信号处理、飞行控制单元和卫星通信子系统。
　　随着5G通信和边缘计算的发展，对高速、低延迟本地存储的需求持续增长，CY7C1320KV18-333BZXC凭借其卓越的性能表现，成为构建下一代智能网络节点和分布式处理平台的关键组件。其小尺寸BGA封装也有利于在空间受限的板卡上实现高密度集成，适用于紧凑型网络模块和刀片服务器设计。

CY7C1320KV18-333BZXIT
　　CY7C1320KV18-333BZC
　　CY7C1321KV18-333BZXC
　　CY7C1322KV18-333BZXC