时间：2025/12/25 13:04:30
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VDZT2R20B是一款由威世（Vishay）生产的表面贴装齐纳二极管，属于VDZ系列的一部分。该器件专为需要精确电压参考和稳定性能的应用而设计，广泛应用于电源管理、信号调节以及保护电路中。VDZT2R20B采用SOD-323小型封装，具有紧凑的尺寸和良好的热稳定性，非常适合空间受限的便携式电子设备和高密度PCB布局。其标称齐纳电压为2.2V，在规定的测试电流下能够提供稳定的电压钳位功能。该器件符合AEC-Q101汽车级认证标准，具备较高的可靠性，适用于工业控制、消费电子及汽车电子等多种领域。VDZT2R20B采用先进的玻璃钝化工艺制造，确保了长期工作的稳定性和低泄漏电流特性。此外，该器件还具有快速响应能力和优异的瞬态电压抑制性能，能够在电压波动或瞬时过压情况下有效保护后续电路。由于其低动态电阻和良好的温度系数，VDZT2R20B在精密模拟电路中可作为基准电压源使用。该器件支持回流焊和波峰焊工艺，适合自动化表面贴装生产流程。整体而言，VDZT2R20B是一款高性能、高可靠性的低压齐纳二极管，适用于对电压精度和稳定性要求较高的应用场景。
型号：VDZT2R20B
制造商：Vishay
封装类型：SOD-323
齐纳电压（VZ）：2.2V
测试电流（IZT）：5mA
最大齐纳阻抗（Zzt）：200Ω
最大反向漏电流（IR）：1μA
功率耗散（Ptot）：200mW
工作结温范围：-65°C 至 +150°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
极性：单阳极-阴极结构
安装方式：表面贴装（SMD）
湿度敏感等级（MSL）：1级
VDZT2R20B具备出色的电压稳定性和低动态阻抗特性，使其在低电压参考应用中表现出色。其标称齐纳电压为2.2V，在5mA的测试电流下能够维持稳定的电压输出，且最大齐纳阻抗仅为200Ω，有助于减少因负载变化引起的电压波动。该器件采用高质量的半导体材料与玻璃钝化技术，显著降低了反向漏电流，典型值低于1μA，从而提高了能效并减少了待机功耗，特别适用于电池供电设备和低功耗系统。其SOD-323封装不仅体积小巧，仅约2.8mm × 1.6mm × 1.1mm，而且具有良好的散热性能，能够在200mW的功率范围内安全运行。该器件的工作结温范围宽达-65°C至+150°C，确保在极端环境条件下仍能保持稳定性能，适用于高温工业环境或寒冷户外场景。
此外，VDZT2R20B通过了AEC-Q101汽车级可靠性认证，表明其在机械强度、温度循环、湿度耐受等方面均达到车规级标准，可用于车载传感器、ECU模块、LED照明驱动等汽车电子系统中。其快速响应时间可在纳秒级内抑制瞬态过压，有效防止静电放电（ESD）或开关噪声对敏感电路造成损害。该器件还具有优异的长期电压稳定性，经过长时间工作后电压漂移极小，适合用于需要长期稳定基准电压的精密测量仪器和数据采集系统。由于其单向击穿特性，VDZT2R20B通常用于正向接地配置下的稳压或箝位电路中，配合限流电阻使用可实现简单的过压保护功能。整体设计兼顾了性能、可靠性和可制造性，是现代电子设计中理想的低压稳压解决方案之一。
VDZT2R20B广泛应用于需要精确电压参考和过压保护的电子电路中。常见用途包括电源电压监控电路中的基准源，用于比较器或电压检测IC的输入参考；在低电压逻辑电平转换电路中作为钳位元件，防止信号超过允许范围；也可用于模拟前端电路中保护ADC输入端免受过高电压冲击。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该器件常被用作电池电压监测或接口保护元件，因其低功耗和小尺寸优势而备受青睐。在工业控制系统中，VDZT2R20B可用于传感器信号调理模块，提供稳定的偏置电压或作为反馈回路中的稳压环节。在汽车电子领域，该器件适用于车身控制模块、车载娱乐系统、仪表盘显示驱动等子系统，承担电源稳压或瞬态电压抑制功能。此外，在通信设备、网络接口单元和IoT终端设备中，VDZT2R20B可用于保护高速数据线路免受ESD事件影响。由于其良好的温度稳定性和长期可靠性，也适用于医疗电子设备、测试测量仪器等对安全性要求较高的场合。无论是作为基准源还是保护元件，VDZT2R20B都能在多种工作条件下提供一致且可靠的性能表现。
BZT52C2V2
MMBZ5221B
SZMM3Z2V2T1G
BAT54C
