时间：2025/5/8 18:19:05
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VBG15NB22TSP 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-263 封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于各种功率转换和电机驱动应用。其额定电压为 200V，连续漏极电流可达 15A（在特定条件下），广泛用于工业设备、消费电子和汽车领域。
最大漏源电压：200V
最大连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：0.18Ω
栅极电荷（典型值）：12nC
开关时间（开启/关闭）：70ns / 45ns
功耗：23W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
VBG15NB22TSP 具有低导通电阻，从而降低传导损耗，提高效率。
该器件的高开关速度有助于减少开关损耗，使其非常适合高频应用。
其出色的热性能确保了在高功率密度设计中的可靠运行。
通过优化的封装设计，该 MOSFET 提供了良好的散热能力，延长了使用寿命。
此外，该器件还具备较高的雪崩击穿能量（EAS），增强了系统的鲁棒性。
VBG15NB22TSP 广泛应用于直流-直流转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动电路、电池保护电路以及负载开关等场景。
它也适合用于需要高效率和高可靠性的工业自动化控制设备、家用电器和汽车电子系统中。
由于其高耐压能力和大电流处理能力，还可以用作电磁阀驱动或逆变器组件的一部分。
IRF540N, BUK7Y1R2-20E, STP15NF02L
