VB921ZVFI 时间：2025/7/23 4:34:59 阅读：2

VB921ZVFI 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高效率的特性。该器件主要用于 DC-DC 转换器、电源管理和负载开关等应用。VB921ZVFI 采用 8 引脚 TSOP 封装，适合空间受限的高密度设计。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 (VDS)：30V
　　栅源电压 (VGS)：20V
　　连续漏极电流 (ID)：8A
　　导通电阻 (RDS(on))：28mΩ @ VGS = 10V
　　导通阈值电压 (VGS(th))：1.4V ~ 2.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：8 引脚 TSOP

特性

VB921ZVFI MOSFET 采用 Vishay 的沟槽技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），在 10V 栅极驱动电压下仅为 28mΩ，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。该器件的漏极电流额定值为 8A，适用于中高功率应用。
　　该 MOSFET 具有快速开关特性，减少了开关损耗，提高了电源转换效率。栅极驱动电压范围为 1.4V 至 2.5V，支持与多种控制电路的兼容性。此外，VB921ZVFI 的封装设计提供了良好的热性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。
　　其封装为 8 引脚 TSOP，体积小巧，适合高密度 PCB 设计。器件具有良好的热稳定性和抗过热能力，可在恶劣的环境条件下运行。VB921ZVFI 还具有较高的雪崩能量耐受能力，提高了系统的可靠性和耐用性。

应用

VB921ZVFI 主要用于各种电源管理应用，包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统。它也广泛应用于便携式电子设备、服务器电源、工业控制系统和汽车电子系统中。在这些应用中，该器件能够提供高效的功率转换和可靠的性能，同时减少能量损耗和热量产生。
　　由于其低导通电阻和快速开关特性，VB921ZVFI 非常适合用于高频开关电源设计，能够提高系统的整体效率。此外，该器件的紧凑封装使其成为空间受限应用的理想选择。