FFMAF103 时间：2025/8/13 15:36:15 阅读：17

FFMAF103 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率电源管理应用，如 DC-DC 转换器、电机控制、负载开关以及电池供电设备中的功率开关。该 MOSFET 具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流容量，能够在高频条件下稳定工作，适合需要高功率密度和低功耗的设计。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：11A
　　导通电阻（Rds(on)）：55mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功耗（Ptot）：3.8W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6

特性

FFMAF103 具有优异的导通性能和开关特性，能够在高频率下工作，降低开关损耗并提高系统效率。其低 Rds(on) 特性有助于减少导通损耗，从而提高能效并降低发热。
　　此外，该 MOSFET 采用先进的沟槽栅技术，提供更高的热稳定性和更长的使用寿命。其 PowerFLAT 5x6 封装具有良好的热管理性能，便于散热并适用于紧凑型 PCB 设计。
　　该器件还具备较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行，提高系统可靠性。此外，其 ±20V 的栅极电压耐受能力使其适用于多种驱动电路配置。

应用

FFMAF103 主要用于各种电源管理系统中，包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及便携式电子设备中的高效功率开关。由于其低导通电阻和优异的热性能，该器件也非常适合用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车身控制模块。此外，该 MOSFET 在工业自动化和电机控制领域也广泛应用。