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K9WBG08U1M-PIB0 发布时间 时间:2025/4/27 8:58:33 查看 阅读:4

K9WBG08U1M-PIB0 是一款由三星(Samsung)制造的 NAND Flash 存储芯片。该芯片采用先进的存储技术,主要用于需要大容量数据存储的应用场景,如嵌入式系统、消费类电子设备以及工业控制领域。此型号属于 K9 系列,支持高可靠性和高性能的数据读写操作。
  这款 NAND Flash 芯片采用了多级单元(MLC)或三级单元(TLC)技术,能够在有限的空间内提供更大的存储容量,同时具备较低的功耗和较高的耐用性。

参数

存储容量:8Gb
  接口类型:ONFI 3.0
  工作电压:2.7V 至 3.6V
  封装形式:TSOP
  数据传输速率:最高可达 200 MB/s
  擦写寿命:3000 次(典型值,具体取决于使用条件)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  引脚数:48

特性

K9WBG08U1M-PIB0 具备以下主要特性:
  1. 高密度存储能力,适合各种嵌入式应用。
  2. 支持 ONFI 3.0 接口标准,确保与主流控制器的兼容性。
  3. 提供快速的数据传输速度,满足实时数据处理需求。
  4. 宽工作温度范围,适用于工业级环境。
  5. 低功耗设计,有助于延长电池供电设备的续航时间。
  6. 高可靠性及稳定性,减少数据丢失风险。
  此外,该芯片还具有内置错误检查和纠正(ECC)功能,能够有效提升数据完整性。

应用

K9WBG08U1M-PIB0 广泛应用于以下领域:
  1. 嵌入式系统,如路由器、交换机等网络设备。
  2. 消费类电子产品,包括智能手机、平板电脑和数码相机。
  3. 工业自动化设备,例如 PLC 和人机界面(HMI)。
  4. 汽车电子系统,如导航仪和行车记录仪。
  5. 医疗设备中的数据记录模块。
  6. 可穿戴设备和其他物联网(IoT)相关产品。

替代型号

K9WBG08U5M-PUC0, K9WBG08U1D-SCK0, K9WBG08U5M-TCK0

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