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SST110-T1 发布时间 时间:2025/6/16 17:30:17 查看 阅读:5

SST110-T1是一款高性能的功率MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该器件采用TO-252封装形式,具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功耗并提升系统效率。
  其设计主要针对高频率应用场合,具备良好的热稳定性和电气性能,适合需要高效能与小体积解决方案的应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:4.8A
  栅极阈值电压:2V~4V
  导通电阻:35mΩ
  工作结温范围:-55℃~175℃

特性

SST110-T1的核心优势在于其超低的导通电阻(Rds(on)),这使得它在大电流应用中表现出色,并且发热更少。
  此外,该器件拥有非常短的开启和关断时间,有助于减少开关损耗。
  其坚固的封装设计提供了优异的机械强度和散热性能,从而保证了长期运行的可靠性。
  同时,SST110-T1支持宽泛的工作温度范围,适应极端环境下的使用需求,例如汽车电子或工业控制设备。
  另外,该产品符合RoHS标准,满足环保要求。

应用

SST110-T1适用于各种功率管理电路,包括但不限于:
  - 开关模式电源(SMPS)
  - DC-DC转换器
  - 电池管理系统(BMS)
  - LED驱动器
  - 消费类电子产品中的负载切换
  - 工业自动化设备中的电机驱动
  - 汽车电子系统的功率调节模块

替代型号

SST111-T1
  SST112-T1
  IRLZ44N

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SST110-T1参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类JFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 闸/源击穿电压- 25 V
  • 配置Single
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOT-23
  • 封装Reel
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值)0.017 S
  • 工厂包装数量3000