VB30200C 时间：2025/5/24 9:46:37 阅读：17

VB30200C是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适合于需要高效能和高可靠性的应用。其封装形式通常为TO-252（DPAK），能够承受较高的电流和电压，同时保持较低的功率损耗。
　　这款MOSFET通过优化的芯片设计实现了更低的导通电阻和栅极电荷，从而提升了整体效率并降低了系统的发热。此外，VB30200C具备优异的雪崩能力和抗浪涌能力，确保在严苛环境下的稳定运行。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：20A
　　导通电阻：2mΩ
　　栅极电荷：18nC
　　输入电容：960pF
　　总电容：720pF
　　功耗：12W
　　工作温度范围：-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻（Rds(on)）确保了在大电流应用中的高效表现。
　　2. 高速开关能力，减少了开关损耗，适用于高频电路。
　　3. 采用先进的制造工艺，提供卓越的热性能和可靠性。
　　4. 具备短路保护和过温保护功能，提高了系统安全性。
　　5. 符合RoHS标准，环保且无铅。
　　6. 在极端温度条件下仍能保持稳定的电气性能。
　　7. 小型化封装设计节省PCB空间，同时支持表面贴装技术（SMT）以提高生产效率。

应用

1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
　　2. 电机驱动电路中的功率级开关。
　　3. 负载开关和电源管理模块。
　　4. DC-DC转换器和升降压变换器。
　　5. 电池管理系统（BMS）中的保护开关。
　　6. 工业自动化设备中的功率控制元件。
　　7. 汽车电子中的直流电机控制和照明系统。
　　8. 可再生能源领域如太阳能逆变器中的功率转换组件。