FDN302 时间：2025/12/29 13:51:51 阅读：11

FDN302 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。该器件通常用于需要高效功率管理的便携式设备和电源管理系统中，如DC-DC转换器、负载开关、电池充电管理等应用。FDN302采用SOT-23封装，适合空间受限的高密度设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：400mA
　　导通电阻（RDS(on)）：0.65Ω @ VGS=4.5V；0.85Ω @ VGS=2.5V
　　功率耗散：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

FDN302 MOSFET采用了先进的沟槽技术，使得导通电阻更低，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。其低导通电阻在VGS为4.5V时仅0.65Ω，适用于高效率的功率转换应用。
　　此外，FDN302具有较高的栅极耐压能力，最大栅源电压为±12V，增强了器件在复杂工作环境下的稳定性。其工作温度范围宽，可在-55°C至150°C之间稳定工作，适应多种工业和消费类应用场景。
　　该器件的SOT-23封装形式，具有较小的封装尺寸，适合高密度PCB布局设计，同时具备良好的热性能，能够在有限空间内有效散热。
　　由于其双N沟道结构设计，FDN302可在同步整流、负载开关、DC-DC转换器等电路中提供出色的性能表现，尤其是在需要双向电流流动或双路独立控制的应用中，具备较高的灵活性和可靠性。

应用

FDN302广泛应用于多种电源管理和功率控制场景中。例如，在便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电池管理系统中，用于电池充放电控制和负载开关，有效提高能效并延长电池寿命。
　　在DC-DC转换器中，FDN302可用于高侧或低侧开关，实现高效的电压转换，适用于Buck、Boost或Buck-Boost拓扑结构。
　　此外，该器件也常用于电机驱动、LED背光调节、电源分配系统以及智能功率模块中，为各类中低功率应用提供可靠且高效的解决方案。
　　由于其优异的导通特性和封装优势，FDN302也适合用于需要快速开关和低功耗的工业控制系统、通信设备和消费类电子产品中。