型号：VB-2221
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：3.4A
　　脉冲漏极电流（IDM）：13.6A
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 4.5V）：37mΩ
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 2.5V）：52mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：0.8V ~ 1.4V
　　输入电容（Ciss）：420pF @ VDS=10V
　　输出电容（Coss）：140pF @ VDS=10V
　　反向恢复时间（trr）：12ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

VB-2221采用先进的TrenchFET技术，这种基于沟槽结构的制造工艺显著降低了器件的导通电阻，同时提升了单位面积下的电流承载能力。由于其RDS(on)在低栅极驱动电压下仍保持较低水平，因此特别适合用于3.3V或5V逻辑控制的开关应用，如负载开关、电机驱动和DC-DC转换器。该MOSFET在VGS = 4.5V时的最大导通电阻仅为37mΩ，在VGS = 2.5V时也仅为52mΩ，这意味着即使在较低的驱动电压条件下也能实现高效的功率传输，减少了能量损耗和发热问题。
　　TrenchFET结构还优化了栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），使得器件具备更快的开关速度和更低的开关损耗，适合高频开关电源设计。输入电容仅为420pF，输出电容为140pF，较小的寄生电容有助于减少动态功耗，提高系统的响应速度。此外，其反向恢复时间trr为12ns，表现出优异的体二极管恢复特性，可有效降低在感性负载切换过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。
　　Vishay对VB-2221进行了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环测试，确保其在恶劣工作环境下仍能保持长期稳定运行。器件的工作结温范围可达-55°C至+150°C，适应各种工业和消费类应用场景。SOT-23封装不仅体积小巧，便于自动化贴片生产，而且具有良好的散热性能，通过PCB焊盘即可实现有效热传导。该封装还减少了引线电感，进一步提升了高频性能。
　　VB-2221符合RoHS指令，不含铅、镉等有害物质，并通过了MSL3级湿敏等级认证，适用于标准回流焊工艺。其静电放电（ESD）防护能力较强，HBM模型下可承受2kV以上的静电冲击，增强了在装配和使用过程中的安全性。综合来看，VB-2221凭借其低导通电阻、高开关效率、小封装尺寸和高可靠性，成为众多低压功率开关应用中的优选器件。

VB-2221广泛应用于各类低电压、高效率的开关和电源管理系统中。常见用途包括便携式电子设备中的电池供电开关，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于控制不同功能模块的电源通断，以实现节能待机或分时供电管理。在DC-DC降压或升压转换器中，它常被用作同步整流开关管，替代传统肖特基二极管，从而大幅降低导通损耗，提高转换效率。
　　该器件也适用于负载开关电路，用于隔离电源域或防止浪涌电流影响主电源系统。例如，在USB接口电源管理中，VB-2221可用于过流保护和热插拔控制，确保连接设备的安全供电。在电机驱动应用中，特别是微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，VB-2221因其快速开关能力和低导通电阻而表现出色，能够有效减少发热并提升驱动效率。
　　此外，VB-2221还可用于LED驱动电路中的开关控制，实现精确调光和节能运行。在工业控制系统中，它可用于PLC输入/输出模块的信号切换或继电器替代方案，提供更长寿命和更高可靠性。由于其SOT-23封装体积小，也适合用于空间受限的高密度印刷电路板设计，如物联网传感器节点、无线通信模块和嵌入式控制器等。总之，凡是需要高效、小型化、低电压控制的功率开关场合，VB-2221都是一个极具竞争力的选择。

Si2302DDS
　　AO3400
　　FDMN5670