2SK3400 时间：2025/5/22 2:42:02 阅读：5

2SK3400是一种N沟道MOSFET功率晶体管，广泛应用于高频放大器、开关电源和射频应用中。它具有低导通电阻、高增益和出色的频率特性，适合需要高性能的电子电路设计。
　　该器件采用TO-3金属封装，具备良好的散热性能，适用于要求严格的工业和商业应用环境。

参数

最大漏源电压：120V
　　最大栅源电压：±20V
　　最大漏极电流：16A
　　输入电容：350pF
　　输出电容：90pF
　　反向传输电容：45pF
　　导通电阻：0.18Ω
　　工作温度范围：-55℃至+175℃

特性

2SK3400具有较低的导通电阻和较高的增益，能够有效降低功耗并提高效率。
　　其出色的频率响应使其非常适合用于射频和高频应用。
　　此外，该器件的高耐压能力和大电流承载能力确保了其在严苛条件下的可靠运行。
　　2SK3400还具备快速开关速度，可减少开关损耗，提高整体系统效率。
　　由于采用了TO-3金属封装，该器件拥有优异的散热性能，适合长时间连续工作。

应用

2SK3400广泛应用于射频功率放大器、开关电源、逆变器、电机驱动器以及其他需要高性能功率控制的场合。
　　它也常被用作音频功率放大器中的驱动晶体管，提供高质量的声音输出。
　　此外，在工业自动化设备、通信设备以及医疗设备中也有广泛应用。
　　由于其高频特性和大功率处理能力，2SK3400是许多工程师在设计高效能功率转换电路时的首选器件。