V580ME16-LF 时间：2025/12/28 12:45:11 阅读：8

V580ME16-LF 是 Vishay Semiconductors 推出的一款高效能、低功耗的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽式技术，具备较低的导通电阻（RDS(on)），以提高效率并减少热损耗。V580ME16-LF 采用 TO-252（DPAK）封装，适用于表面贴装技术（SMT），非常适合紧凑型和高密度 PCB 设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：80A
　　漏极-源极电压（VDS）：100V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：@ VGS=10V 时为 4.3mΩ，@ VGS=4.5V 时为 6.5mΩ
　　功率耗散（PD）：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C

特性

V580ME16-LF MOSFET 具备多项先进特性，首先，其低导通电阻确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。其次，该器件支持较高的栅极-源极电压（±20V），增强了在高电压应用中的稳定性和可靠性。此外，V580ME16-LF 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，使得其在高频率开关应用中表现优异，减少开关损耗并提升响应速度。
　　该器件具有较高的热稳定性，可在高温环境下稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。TO-252 封装设计不仅便于安装和散热，还提高了 PCB 布局的灵活性。此外，V580ME16-LF 符合 RoHS 标准，并具备无卤素环保特性，满足现代电子设备对环保和可持续发展的要求。

应用

V580ME16-LF MOSFET 广泛应用于各类电源管理系统，如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统（BMS）等。由于其优异的导通性能和高可靠性，它也常用于汽车电子系统、工业自动化设备、电信设备以及消费类电子产品中的功率控制部分。此外，在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，V580ME16-LF 同样能够提供高效的功率切换和管理解决方案。