类型：双共阴极肖特基二极管
　　封装/外壳：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C ~ 125°C
　　存储温度范围：-65°C ~ 150°C
　　结温：150°C
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流阻断电压（VR）：30V
　　平均整流电流（IO）：200mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：0.5A
　　最大正向电压（VF）：@ IF = 10mA 时典型值 0.27V；@ IF = 200mA 时最大值 0.45V
　　最大反向漏电流（IR）：@ VR = 30V, TA = 25°C 时最大 1μA
　　反向恢复时间（trr）：< 4ns
　　热阻抗（JA）：350°C/W
　　极性：双共阴极

DW3316-275MLD的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这使得它相较于传统的PN结二极管具有更低的正向导通压降和更快的开关响应速度。这种低VF特性意味着在相同工作电流下，器件的功耗更小，有助于提升整体系统的能效表现，尤其适用于电池供电设备以延长续航时间。其典型的正向电压仅为0.27V（在10mA条件下），即使在200mA满载情况下也控制在0.45V以内，显著降低了热损耗。
　　该器件的反向恢复时间小于4纳秒，几乎不存在少数载流子存储效应，因此在高频开关电路中表现出优异的动态性能，有效减少开关噪声和电磁干扰。此外，双共阴极结构允许两个独立的阳极共享一个公共阴极端子，便于构建双路整流或输入保护电路，简化布局设计并提高集成度。
　　SOT-23封装不仅体积小巧，而且具有良好的散热性能和机械稳定性，适合回流焊和波峰焊等多种表面贴装工艺。产品经过严格的质量测试，包括高温反向偏压（HIRB）、高温存储寿命（HTSL）和温度循环等可靠性试验，确保长期运行的稳定性。其宽泛的工作结温范围（最高达150°C）使其能够在恶劣环境下可靠工作，适用于工业级应用场景。
　　DW3316-275MLD还具备出色的反向漏电流控制能力，在室温下最大仅为1μA（30V反向电压），减少了待机状态下的能量浪费。同时，较低的热阻抗（350°C/W）有助于将内部产生的热量迅速传导至PCB，避免局部过热导致失效。综合来看，这款二极管阵列为现代小型化、高效率电子系统提供了可靠的解决方案。

DW3316-275MLD广泛应用于各类需要高效、小型化整流与保护功能的电子设备中。常见用途包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源路径管理与电池充电回路，用于防止反向电流流动并实现电压钳位保护。在USB接口电路中，它可以作为ESD防护和信号整流元件，保障数据线安全传输。
　　在DC-DC转换器特别是升压或降压拓扑中，该器件可用于续流二极管或输出整流环节，凭借其低正向压降特性提升转换效率，降低温升。此外，由于其快速响应能力，也常被用作高速逻辑电路中的电平移位或箝位二极管，防止信号过冲损坏后续IC。
　　在通信模块如Wi-Fi、蓝牙和NFC芯片组周边电路中，DW3316-275MLD可用于射频前端的偏置电路或检测电路，提供稳定的直流偏置路径。工业传感器模块和低功耗微控制器单元（MCU）的电源输入端也可采用此器件进行反接保护和瞬态抑制。
　　其他典型应用还包括LED驱动电路中的防倒灌二极管、多电源系统中的电源选择开关（OR-ing电路），以及各类模拟开关和多路复用器的保护网络。因其符合环保标准且支持自动贴片生产，特别适合大批量制造场景。

BAS40-04T, PMEG3020CPA, PMXG3020YH, DSH27, SK33