时间：2025/4/29 13:07:46
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GA1210A182GBAAT31G 是一款高性能的 NAND Flash 存储芯片，主要应用于大容量数据存储场景。该芯片采用了先进的制程工艺，具备高可靠性和低功耗的特点，适合在嵌入式系统、消费类电子和工业领域中使用。
其设计优化了读写速度和耐用性，能够满足现代设备对快速数据访问和长期稳定存储的需求。
类型：NAND Flash
容量：128GB
接口：Toggle Mode 2.0
工作电压：1.8V
封装形式：BGA
尺寸：16mm x 24mm x 1.2mm
数据传输速率：最高400MT/s
擦写寿命：3000次（典型值）
工作温度范围：-25°C 至 +85°C
GA1210A182GBAAT31G 的主要特性包括：
1. 高速数据传输能力，支持 Toggle Mode 2.0 接口协议。
2. 大容量存储，单颗芯片即可提供高达 128GB 的存储空间。
3. 低功耗设计，适合便携式和电池供电设备。
4. 支持多级纠错算法（ECC），提高数据可靠性。
5. 宽工作温度范围，适应各种环境条件下的应用需求。
6. 小型化封装，节省 PCB 空间，便于系统集成。
7. 内置磨损均衡算法，延长存储器使用寿命。
GA1210A182GBAAT31G 广泛应用于以下领域：
1. 智能手机和平板电脑等移动设备中的内部存储。
2. 固态硬盘（SSD）和其他存储模块的组件。
3. 工业控制设备的数据记录与备份。
4. 数字摄像机、无人机和其他需要大容量存储的消费类电子产品。
5. 嵌入式系统中作为主存储单元，用于运行操作系统或存储用户数据。
6. 医疗设备和汽车电子系统中的关键数据存储部分。
GA1210A256GBAAT31G, GA1210A64GBAAT31G
