时间：2025/8/13 18:02:48
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JANs1N5711 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的硅基单向雪崩二极管，主要用于过电压保护和瞬态电压抑制（TVS）应用。该器件符合军用标准 JAN（Joint Army-Navy），具有高可靠性、长寿命和出色的稳定性，适合在严苛环境条件下使用，例如航空航天、军事设备和工业控制系统等关键应用。JANs1N5711 提供了精确的电压保护水平，能够快速响应瞬态电压事件，从而保护下游电路免受损坏。
类型：单向雪崩二极管
最大反向关态电压 VRWM：170 V
击穿电压 VBR（最小值）：189 V
击穿电压 VBR（典型值）：198 V
最大箝位电压 VC：302 V
最大峰值脉冲电流 IPP：3.3 A
最大反向漏电流 IR（VRWM 下）：5 μA
功率耗散（峰值）：400 W
封装形式：DO-41
极性：单向
JANs1N5711 具备多项优异特性，使其在高可靠性保护应用中表现出色。首先，其精确的击穿电压（典型值为 198 V）确保了在需要保护的电路中提供一致的电压限制，防止因过电压而导致的损坏。其次，该器件的最大箝位电压为 302 V，在瞬态事件期间能够迅速将电压抑制到安全水平，从而保护后端电路。此外，JANs1N5711 能够承受高达 400 W 的峰值脉冲功率，使其适用于需要处理大能量瞬态事件的场合。
该器件的响应时间极短，通常在纳秒级别，能够在电压瞬变发生的瞬间迅速动作，提供即时的保护。其反向漏电流在额定工作电压下非常低（最大 5 μA），有助于降低静态功耗并减少对系统的影响。JANs1N5711 采用 DO-41 通孔封装形式，便于安装在印刷电路板上，并具有良好的散热性能，确保在高脉冲电流下的稳定性。
作为 JAN 认证的器件，JANs1N5711 满足严格的军用标准，适用于极端温度环境、振动和冲击条件下运行，其材料和制造工艺均符合 MIL-PRF-19500 等相关规范，确保长期可靠性和一致性。
JANs1N5711 主要用于需要高可靠性和高电压保护的场合。典型应用包括航空航天电子系统、导弹和卫星控制电路、军用通信设备、雷达系统、工业自动化控制模块以及测试与测量仪器中的瞬态电压保护。该器件还可用于保护电源线、数据线路和传感器接口免受静电放电（ESD）、雷击浪涌和开关瞬变等高压事件的影响。在需要符合军用或航天标准的高可靠性系统中，JANs1N5711 是理想的过电压保护解决方案。
1.5KE180A-TR, SMAJ180A, 1.5KE180CA-TR
