产品系列：InnoSwitch?4-Pro
　　集成开关：750 V PowiGaN?功率MOSFET
　　控制模式：多模式准谐振反激控制器
　　工作频率：高达130 kHz
　　启动时间：典型值小于1秒
　　输出功率能力：最高可达90 W（取决于设计）
　　输入电压范围：85 VAC – 265 VAC（全范围）
　　隔离耐压：增强型隔离，符合IEC 60950/IEC 62368标准
　　封装类型：InSOP-28D（带散热片）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C（结温）
　　保护功能：过温保护（OTP）、过流保护（OCP）、过压保护（OVP）、开环保护
　　反馈机制：FluxLink? 数字磁感通信（无光耦）
　　同步整流驱动：支持次级侧同步整流控制
　　能效等级：符合DoE Level VI和Energy Star 6.0要求

V275LS4的核心特性之一是采用了PowiGaN?技术，这是一种基于氮化镓（GaN）的高压开关技术，相较于传统的硅基MOSFET，具有更低的导通电阻和开关损耗，显著提升了转换效率，尤其是在高频工作条件下表现出色。这使得电源设计可以在保持高效率的同时减小变压器和散热结构的体积，从而实现更高功率密度的设计。此外，由于GaN器件的快速开关能力，系统的动态响应速度也得到提升，有助于改善负载瞬态性能。
　　另一个关键特性是其高度集成的控制架构，集成了初级侧PWM控制器、高压启动电路、多模式QR调制器以及全面的保护机制。这种集成不仅减少了外围元件数量，还简化了PCB布局，降低了生产成本和故障率。同时，器件支持多种工作模式（如连续导通模式CCM、不连续导通模式DCM和临界导通模式BCM），可根据负载条件自动切换，以优化不同负载下的效率表现，特别是在轻载和空载状态下仍能维持极高的能效。
　　InnoSwitch4-Pro系列特有的FluxLink?双向数字通信技术，允许初级控制器与次级侧的同步整流控制器之间进行高速、可靠的信号传输，实现在无光耦的情况下完成精准的恒压/恒流调节。这一设计消除了传统光耦老化导致的性能下降问题，大幅提升了长期运行的稳定性和可靠性。此外，该通信链路还支持实时监控和故障报告功能，增强了系统的可诊断性。
　　在保护方面，V275LS4具备完整的多重保护机制，包括逐周期电流限制、过压锁定、过温关断以及自动重启动功能，在异常情况下可有效防止损坏电源或负载设备。其内置的软启动功能还能有效抑制上电时的浪涌电流，提高系统稳定性。总体而言，V275LS4凭借其先进材料、高度集成和智能控制策略，成为现代高效、小型化电源设计的理想选择。

V275LS4广泛应用于需要高效率、高可靠性和小尺寸的中低功率电源系统中。典型应用场景包括智能手机、平板电脑和笔记本电脑的USB-C PD快充适配器，尤其适用于支持高达65W甚至更高输出功率的氮化镓充电器设计。其高效的热管理和高功率密度特性使其非常适合用于超薄电源适配器和多口桌面充电站等空间受限的产品中。
　　在工业领域，V275LS4可用于工业自动化设备、PLC模块、传感器供电单元以及LED驱动电源等对长期运行稳定性和环境适应性要求较高的场合。由于其宽输入电压范围和强健的保护功能，该器件也能很好地应对电网波动较大的工业环境。
　　此外，V275LS4还可用于电信设备中的板载电源（POL）、网络路由器和交换机的辅助电源，以及医疗设备中的低泄漏电流电源设计，因其增强型隔离和符合安规的特点，能够满足IEC 60601等医疗安全标准的要求。
　　随着消费类电子产品对快速充电和小型化需求的增长，V275LS4在USB Power Delivery（USB PD）3.0/3.1电源方案中发挥着重要作用，支持多种电压档位（如5V、9V、15V、20V）的自动调节，并可通过PPS（Programmable Power Supply）实现精细电压调整，满足最新移动设备的充电协议需求。

INN4275C