类型：NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　封装类型：SOT-323（SC-70）

DTA114EM 8K/R晶体管具备多种优异的电气特性，适用于广泛的电子应用。其最大集电极-发射极电压（VCEO）为50V，能够承受较高的电压应力，适用于中低功率电路。该晶体管的最大集电极电流为100mA，使其适用于信号放大和小功率开关控制。
　　此外，该器件的电流增益（hFE）范围较宽，从110到800，根据不同的等级划分，用户可以根据具体需求选择合适的增益等级，从而优化电路性能。过渡频率（fT）达到100MHz，表明其在高频应用中具有良好的响应特性，适合用在射频或高速开关电路中。
　　DTA114EM 8K/R采用SOT-323封装，这是一种非常小型化的封装形式，便于在高密度PCB设计中使用。同时，其功耗为200mW，在正常工作条件下无需额外的散热器即可满足散热需求。
　　该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C，具备良好的环境适应性，能够在极端温度条件下稳定运行，适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。

DTA114EM 8K/R晶体管广泛应用于多种电子设备和系统中。其主要用途包括：信号放大电路、开关控制电路、逻辑电平转换、LED驱动电路、继电器驱动电路、传感器接口电路等。由于其高频特性和良好的增益表现，该晶体管也常用于射频（RF）放大器和高速数字开关电路。此外，它还适用于便携式电子产品、消费类电子设备、工业控制系统以及汽车电子模块中的低功耗开关和信号处理应用。

DTA114EU, DTA124EK, BC847, 2N3904