V24B12T200BL 时间：2025/5/8 16:43:29 阅读：2

V24B12T200BL 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率转换应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高效率并降低功耗。
　　其主要特点包括高耐压能力、低栅极电荷以及出色的热性能，适用于各种工业和消费类电子产品中的功率管理场景。

参数

型号：V24B12T200BL
　　类型：N-Channel MOSFET
　　封装形式：TO-263 (D2PAK)
　　最大漏源电压(Vdss)：200V
　　最大连续漏电流(Id)：12A
　　导通电阻(Rds(on))：0.17Ω（典型值，在 Vgs=10V 时）
　　栅极电荷(Qg)：28nC（典型值）
　　总功耗(Ptot)：175W
　　工作温度范围(Ta)：-55°C 至 +175°C
　　结温(Tj)：-55°C 至 +175°C

特性

V24B12T200BL 的主要优势在于其卓越的电气性能和可靠性。它具有较低的导通电阻 Rds(on)，能够在高电流条件下减少功率损耗。此外，其快速的开关速度有助于降低开关损耗，从而提升整体效率。
　　该器件还具备良好的热稳定性，使其能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。由于采用 TO-263 封装，便于安装和散热设计，因此非常适合需要高功率密度的应用场景。
　　V24B12T200BL 还具有抗雪崩能力和静电保护功能，增强了其在实际应用中的耐用性和安全性。

应用

这款 MOSFET 广泛应用于多种领域，包括但不限于：
　　- 开关电源（SMPS）
　　- DC/DC 转换器
　　- 电机驱动
　　- 工业控制设备
　　- 消费电子产品的功率管理模块
　　- 充电器及适配器
　　- 照明系统中的 LED 驱动电路
　　其高耐压和大电流承载能力使其成为许多高功率应用的理想选择。