2SK3519-01 时间：2025/8/9 16:32:01 阅读：13

2SK3519-01 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高频和高效率的功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性，适用于DC-DC转换器、电源管理和电池供电设备等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：20V
　　最大漏极电流（Id）：80A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：130W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220AB

特性

2SK3519-01 具备多项优异的电气和物理特性，使其在多种电源应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可以显著减少导通损耗，提高整体效率。在Vgs=10V的条件下，典型值为5.5mΩ，这对于大电流应用非常关键。
　　其次，该器件具有高电流承载能力，最大连续漏极电流为80A，能够支持高功率密度的设计需求。此外，2SK3519-01 的最大漏源电压为30V，能够在较高电压的应用中稳定运行，具有良好的耐压能力。
　　这款MOSFET还具备快速开关特性，减少了开关损耗，提高了系统效率。这对于高频开关应用尤为重要，例如DC-DC转换器和同步整流器等。
　　最后，2SK3519-01 采用TO-220AB封装形式，具备良好的散热性能和机械稳定性，适合工业级应用环境。该封装形式也便于安装和散热片的使用，确保在高负载条件下仍能保持较低的结温。

应用

2SK3519-01 广泛应用于多种电源管理系统和功率电子设备中。其主要应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制电路、电池管理系统（BMS）以及各类高效率电源模块。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合需要高效能和紧凑设计的场合。
　　在DC-DC转换器中，2SK3519-01 可以作为主开关或同步整流器使用，显著提升转换效率并减少热量产生。在电池管理系统中，它可以用于控制电池的充放电过程，提供可靠的高电流开关能力。
　　此外，2SK3519-01 也可用于电机驱动电路，作为功率开关器件，控制电机的启停和速度调节。其高耐压能力和快速开关特性使其在这些应用中表现出色。
　　对于工业电源和通信设备，2SK3519-01 提供了稳定的性能和较长的使用寿命，确保系统在高负载条件下的可靠性。