制造商: SK Hynix
　　产品类型: NAND闪存
　　存储容量: 1GB
　　接口: ONFI 2.0
　　电压供应: 1.8V - 3.3V
　　封装类型: TSOP
　　工作温度范围: -40°C 至 +85°C

H9DA1GG26HAMBR-4EMR 是一款高性能的NAND闪存芯片，具有1GB的存储容量，适合多种应用需求。该芯片支持ONFI 2.0接口标准，确保了与主控芯片的兼容性和高速数据传输能力。ONFI接口提供高达50MB/s的读取速度和20MB/s的写入速度，满足了嵌入式系统和存储设备对数据吞吐量的要求。
　　这款NAND闪存芯片的工作电压范围为1.8V至3.3V，提供了广泛的电源兼容性，适应不同的系统设计需求。低电压设计也帮助降低功耗，延长电池供电设备的使用时间。芯片的封装形式为TSOP（薄型小外形封装），适用于空间受限的电子设备。
　　H9DA1GG26HAMBR-4EMR 还具备出色的耐用性和数据保持能力，支持10,000次以上的编程/擦除周期，并可在不通电的情况下保持数据长达10年。这些特性使其成为需要长期稳定运行的应用的理想选择，如工业控制、医疗设备和车载电子系统。
　　此外，该芯片内置的ECC（错误校正码）功能可以自动检测和纠正数据错误，确保数据的完整性。它还支持坏块管理，有助于延长使用寿命并提高系统的可靠性。这些内置功能减少了外部控制器的负担，简化了系统设计。

H9DA1GG26HAMBR-4EMR 主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、医疗仪器、车载导航系统、消费类电子产品（如MP3播放器、电子书阅读器）以及低端固态硬盘（SSD）等场景。由于其高可靠性和低功耗特性，这款芯片特别适合需要长时间稳定运行和数据完整性的应用场合。此外，该芯片的TSOP封装形式使其能够适应紧凑的电路板布局，适合空间受限的设备设计。

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