SPN2308S23RG是一款高性能的MOSFET功率晶体管,采用SOT-23封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及其他需要高效功率切换的应用场景。
这款MOSFET属于N沟道增强型器件,能够提供卓越的性能表现,在便携式电子设备和空间受限的设计中非常适用。
类型:N沟道增强型MOSFET
封装:SOT-23
最大漏源电压Vds:30V
最大栅源电压Vgs:±8V
持续漏极电流Id:1.6A(Tc=25℃)
导通电阻Rds(on):70mΩ(Vgs=4.5V时)
栅极电荷Qg:3nC
工作温度范围:-55℃至150℃
SPN2308S23RG具有以下主要特点:
1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于降低功耗并提升系统效率。
2. 快速的开关速度,能够满足高频应用的需求。
3. 小尺寸SOT-23封装,适合高密度设计。
4. 高可靠性与宽温度范围支持,适应各种严苛环境条件。
5. 静态功耗低,非常适合电池供电设备中的使用。
SPN2308S23RG适用于以下领域:
1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的负载开关。
2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
3. 电池保护电路。
4. 各类低压、小电流功率管理系统。
5. LED驱动以及音频放大器中的功率级组件。
SPN2308S23RG的替代型号包括但不限于以下几种:
1. AO3400
2. FDN340P
3. BSS138
4. SI2302DS