时间：2025/5/9 9:21:40
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SI4820DY-T1-GE3 是一款基于硅材料的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 Vishay 公司生产。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，属于 n 沟道增强型功率 MOSFET。其主要设计目标是提供低导通电阻和高效率，在开关电源、电机驱动、负载切换等应用中表现出色。
该型号采用 TO-252 (DPAK) 封装，适用于需要高效能和紧凑设计的场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：38A
导通电阻（Rds(on)）：2.6mΩ
栅极电荷：37nC
总电容（Ciss）：3950pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-252 (DPAK)
SI4820DY-T1-GE3 的核心优势在于其低导通电阻和优化的开关性能。通过采用 TrenchFET 技术，该器件能够显著降低传导损耗，从而提高整体效率。此外，它具有较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗，特别适合高频应用。
该产品还具备出色的热稳定性，能够在高达 175°C 的结温下可靠运行，非常适合高温环境中的应用。同时，其紧凑的 DPAK 封装使其成为空间受限设计的理想选择。
典型应用场景包括但不限于：
- 开关电源中的同步整流
- 电机驱动电路中的功率开关
- 负载切换与保护
- DC/DC 转换器中的功率级开关
SI4820DY-T1-GE3 广泛应用于消费电子、工业设备以及通信领域。常见的具体应用包括：
- 笔记本电脑适配器和充电器中的功率转换
- 工业电机控制和伺服驱动系统
- 电信基础设施中的电源管理
- 汽车电子中的辅助功率模块
- 各类 DC/DC 转换器和升压/降压电路
