MEM4N60THG 时间：2025/5/8 17:53:54 阅读：5

MEM4N60THG是一款高压MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），采用TO-247封装形式。该器件主要用于高电压和高效率应用，如开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动等领域。它具有较低的导通电阻和快速的开关速度，能够在高频条件下实现高效的功率转换。
　　这款MOSFET属于N沟道增强型器件，其漏源极额定电压为600V，能够承受较高的电压波动，适用于工业及汽车电子等对可靠性要求较高的场景。

参数

漏源极电压：600V
　　连续漏极电流：10A
　　导通电阻：0.38Ω
　　栅极电荷：45nC
　　总电容：1500pF
　　最大功耗：175W
　　工作结温范围：-55℃至+150℃

特性

1. 高额定电压（600V），适合高压应用场景。
　　2. 较低的导通电阻（Rds(on)）仅为0.38Ω，可降低传导损耗，提升系统效率。
　　3. 快速开关性能，栅极电荷较小（45nC），有助于减少开关损耗。
　　4. 采用坚固耐用的TO-247封装，具备良好的散热性能。
　　5. 支持宽温度范围（-55℃至+150℃），适用于恶劣环境条件下的应用。
　　6. 符合RoHS标准，环保且可靠。