NTZD3154NT5G
时间:2023/4/14 11:57:29
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概述
制造商:ONSemiconductor
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:是
配置:Dual
晶体管极性:N-Channel
电阻汲极/源极RDS(导通):0.7Ohms
汲极/源极击穿电压:20V
闸/源击穿电压:+/-6V
漏极连续电流:540mA
功率耗散:0.25W
最大工作温度:+150℃
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOT-563
封装:Reel
最小工作温度:-55℃
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- NTZD3154NT5G
- 深圳市念芯电子有限公司
- 3000
- ON SEMICONDUCTOR
- 21+/SOT563
-
NTZD3154NT5G参数
- 标准包装8,000
- 类别分离式半导体产品
- 家庭FET - 阵列
- 系列-
- FET 型2 个 N 沟道(双)
- FET 特点逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C540mA
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C550 毫欧 @ 540mA,4.5V
- Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs2.5nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds150pF @ 16V
- 功率 - 最大250mW
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装SOT-563
- 包装带卷 (TR)