时间：2025/9/12 14:03:28
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KF5N50DS是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换电路中。该器件具有高耐压、低导通电阻和优良的热稳定性，适用于各种高效能电子设备。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：500V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：5A
导通电阻(Rds(on))：≤0.8Ω
工作温度范围：-55℃~150℃
封装类型：TO-251/TO-252
KF5N50DS采用了先进的平面硅栅工艺技术，具有优异的动态响应能力和稳定的电气性能。其高耐压特性使其能够在高压环境中稳定工作，同时低导通电阻降低了功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET具有良好的散热设计，能够在高电流负载下保持较低的温升，延长器件的使用寿命。
KF5N50DS的封装设计紧凑，便于在PCB上安装和布局，适用于多种功率应用场合。其栅极驱动电路简单，易于与其他控制电路集成，降低了设计复杂度。该器件还具有良好的抗干扰能力和较高的可靠性，适用于工业级和消费类电子产品。
KF5N50DS广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、马达驱动电路以及各类电源管理模块。其高耐压和低导通电阻特性使其在高效能电源转换系统中表现出色，同时适用于LED驱动、充电器、适配器等电子设备。
K2543, FQP5N50C, IRF540N
