IS61QDB22M18-250M3L 是 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的双端口静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于高性能的QDR(Quad Data Rate)II SRAM系列,专为网络、通信和高性能计算应用设计,提供高带宽和低延迟的内存解决方案。IS61QDB22M18-250M3L 采用先进的CMOS技术制造,具有高可靠性和稳定性,适用于对性能要求极高的系统。
容量:256Mbit
组织结构:18位x131072
电源电压:1.8V ± 0.15V
访问时间:250MHz
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:165-BGA
接口类型:QDR II
数据速率:500Mbps
输入/输出电压:1.5V 至 1.8V
功耗:典型值 1.2W
IS61QDB22M18-250M3L 是一款高性能 QDR II SRAM,具有多种先进的功能和优势。首先,其256Mbit的存储容量和18位的数据宽度,使其能够支持大量数据的高速读写操作,适用于需要高带宽的网络和通信设备。该芯片支持独立的读写端口,允许在同一个时钟周期内进行读和写操作,显著提高了数据吞吐量。此外,该器件采用低电压设计(1.8V ± 0.15V),有效降低了功耗,同时保持了高速运行能力。
这款SRAM具有500Mbps的数据速率和250MHz的时钟频率,能够满足高速数据处理的需求。其165引脚BGA封装设计不仅节省空间,还提高了散热性能,适用于紧凑型系统设计。IS61QDB22M18-250M3L 支持自动省电模式,在不使用时可降低功耗,提高系统的能效。此外,它还具备高抗干扰能力和良好的温度稳定性,可在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作,适用于工业级和通信级应用环境。
IS61QDB22M18-250M3L 主要应用于需要高带宽和低延迟的网络和通信系统。它广泛用于高端路由器、以太网交换机、无线基站、光网络设备等。该芯片的独立读写端口和高速性能使其非常适合用于数据包缓冲、高速缓存、转发数据库(FIB)等场景。此外,该器件也可用于高性能计算系统中的共享内存模块、实时数据处理单元和嵌入式系统中的高速缓存存储器。
在工业控制和测试测量设备中,IS61QDB22M18-250M3L 可作为高速数据采集和临时存储单元使用。其低功耗和宽温特性也使其适用于恶劣环境下的工业应用。在消费类电子产品中,该芯片可用于需要高速数据处理的高端嵌入式系统,如4K视频处理、实时图像识别和高速缓存加速等场景。
IS61QDB22M18-250MA1L, IS61QDB22M18-333M3L, CY7C1370C-250BZC, IDT71V416S18PFG