时间：2025/9/1 9:07:53
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IS61QDB22M18-250M3L 是 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速、低功耗的双端口静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件属于高性能的QDR（Quad Data Rate）II SRAM系列，专为网络、通信和高性能计算应用设计，提供高带宽和低延迟的内存解决方案。IS61QDB22M18-250M3L 采用先进的CMOS技术制造，具有高可靠性和稳定性，适用于对性能要求极高的系统。
容量：256Mbit
组织结构：18位x131072
电源电压：1.8V ± 0.15V
访问时间：250MHz
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：165-BGA
接口类型：QDR II
数据速率：500Mbps
输入/输出电压：1.5V 至 1.8V
功耗：典型值 1.2W
IS61QDB22M18-250M3L 是一款高性能 QDR II SRAM，具有多种先进的功能和优势。首先，其256Mbit的存储容量和18位的数据宽度，使其能够支持大量数据的高速读写操作，适用于需要高带宽的网络和通信设备。该芯片支持独立的读写端口，允许在同一个时钟周期内进行读和写操作，显著提高了数据吞吐量。此外，该器件采用低电压设计（1.8V ± 0.15V），有效降低了功耗，同时保持了高速运行能力。
这款SRAM具有500Mbps的数据速率和250MHz的时钟频率，能够满足高速数据处理的需求。其165引脚BGA封装设计不仅节省空间，还提高了散热性能，适用于紧凑型系统设计。IS61QDB22M18-250M3L 支持自动省电模式，在不使用时可降低功耗，提高系统的能效。此外，它还具备高抗干扰能力和良好的温度稳定性，可在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作，适用于工业级和通信级应用环境。
IS61QDB22M18-250M3L 主要应用于需要高带宽和低延迟的网络和通信系统。它广泛用于高端路由器、以太网交换机、无线基站、光网络设备等。该芯片的独立读写端口和高速性能使其非常适合用于数据包缓冲、高速缓存、转发数据库（FIB）等场景。此外，该器件也可用于高性能计算系统中的共享内存模块、实时数据处理单元和嵌入式系统中的高速缓存存储器。
在工业控制和测试测量设备中，IS61QDB22M18-250M3L 可作为高速数据采集和临时存储单元使用。其低功耗和宽温特性也使其适用于恶劣环境下的工业应用。在消费类电子产品中，该芯片可用于需要高速数据处理的高端嵌入式系统，如4K视频处理、实时图像识别和高速缓存加速等场景。
IS61QDB22M18-250MA1L, IS61QDB22M18-333M3L, CY7C1370C-250BZC, IDT71V416S18PFG
