时间：2025/7/12 15:52:16
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IRFR13N20是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-252封装，具有高效率、低导通电阻的特点，适用于各种开关电源、电机驱动和负载开关等应用领域。其额定电压为200V，能够满足高压环境下的工作需求。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：2.7A
导通电阻：1.6Ω
栅极电荷：18nC
开关时间：开通延迟时间 44ns，上升时间 22ns，关断延迟时间 19ns，下降时间 15ns
工作结温范围：-55℃至175℃
IRFR13N20具有以下显著特点：
1. 高耐压能力，可承受高达200V的漏源电压，适合用于高压场景。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），仅为1.6Ω，在大电流条件下可以有效减少功耗。
3. 快速开关性能，确保高效运作并降低开关损耗。
4. 工作温度范围广，支持从-55℃到175℃的极端环境。
5. 小型化设计，采用TO-252封装形式，便于PCB布局与散热处理。
6. 符合RoHS标准，环保无铅制造工艺。
这些特点使得IRFR13N20非常适合需要高效率和可靠性的电路设计。
该MOSFET主要应用于以下几个领域：
1. 开关电源（SMPS）中的初级或次级侧开关。
2. 各类DC-DC转换器，包括降压、升压及反激式拓扑。
3. 电机驱动控制电路，如步进电机、无刷直流电机等。
4. 负载开关，用于保护下游电路免受过流影响。
5. 继电器替代方案，提供更长寿命和更高效率的电子切换功能。
6. 其他高压、高频应用场合。
IRFR13N20PBF, IRFR13N20TRPBF
