时间：2025/6/26 10:34:40
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V1R5A0402HQC500NBT 是一款由 Vishay 公司生产的功率 MOSFET 芯片，采用 TrenchFET 技术。这款器件专为低导通电阻和高效率开关应用设计，适合用于 DC-DC 转换器、负载切换、电机驱动以及其他需要高效能功率管理的场景。
该芯片具有非常低的导通电阻 (Rds(on)) 和优化的栅极电荷 (Qg)，能够在高频开关条件下保持较低的功耗，同时提供出色的热性能和可靠性。
型号：V1R5A0402HQC500NBT
品牌：Vishay
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TO-263-3L (D2PAK)
最大漏源电压(Vdss)：40V
最大连续漏极电流(Id)：150A
最大栅源电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ (典型值，在 Vgs=10V 条件下)
栅极电荷(Qg)：89nC (典型值)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
V1R5A0402HQC500NBT 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高电流处理能力 (高达 150A)，使其适用于大功率应用。
3. 采用 TrenchFET 第三代技术，具备更优的开关特性和更低的总功耗。
4. 改进的热性能，允许在更高的结温范围内可靠运行。
5. 紧凑的 D2PAK 封装，节省 PCB 空间，便于布局和散热设计。
6. 符合 RoHS 标准，并支持无铅焊接工艺。
7. 在高频应用中表现出色，适合各种高效的功率转换需求。
V1R5A0402HQC500NBT 广泛应用于以下领域：
1. 工业电源模块和通信电源中的 DC-DC 转换器。
2. 高效负载点 (POL) 转换器和分布式电源架构。
3. 汽车电子系统，如电动助力转向系统 (EPS) 和电池管理系统 (BMS)。
4. 电机驱动和控制电路，尤其是高功率密度的应用。
5. 服务器、存储设备及网络基础设施中的功率管理模块。
6. 太阳能逆变器和不间断电源 (UPS) 系统中的关键功率开关元件。
7. 各类需要高电流和低损耗的大功率电子设备。
VISHAY_SILICONIX Si7870DP, IRFZ44N
