时间：2025/5/22 22:18:21
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BS2S7VZ7306A 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管，采用小型 SOT-23 封装。该器件适用于需要低导通电阻和高开关速度的应用场景。其设计优化了在低电压驱动下的性能，非常适合便携式设备、消费电子以及电源管理系统的应用。
该 MOSFET 的特点在于具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而可以有效减少功率损耗并提高整体效率。此外，它还具备良好的热稳定性和较高的电流承载能力。
最大漏源电压：15V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：0.64A
导通电阻（典型值）：0.9Ω
总功耗：410mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SOT-23
1. 超低导通电阻设计，有助于降低功耗并提升系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频 PWM 控制电路。
3. 小型化 SOT-23 封装，节省 PCB 空间。
4. 宽泛的工作温度范围，确保在各种环境下的可靠性。
5. 具备出色的热稳定性，可长时间稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. DC-DC 转换器及降压/升压模块。
3. 电池保护电路与负载开关控制。
4. 消费类电子产品中的电源管理单元。
5. 便携式设备如智能手机、平板电脑等的小型化电路设计。
6. LED 驱动电路中的开关元件。
BS2S7VZ7306AD, BS2S7VZ7306AE
