V180K0201C0G250NAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的半导体制造工艺。该芯片广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子设备中,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提升系统效率并降低能耗。
此型号属于 V 系列功率 MOSFET 产品线,专为高电流和高频应用场景设计。其封装形式适合表面贴装技术(SMT),能够满足现代电子设备对小型化和高可靠性的需求。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:250A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:75nC
开关时间:开通时间40ns,关断时间35ns
工作结温范围:-55℃至175℃
V180K0201C0G250NAT 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on))可有效减少功率损耗,从而提高整体效率。
2. 快速的开关速度降低了开关损耗,特别适用于高频应用。
3. 高电流承载能力确保其在大功率场景下的稳定运行。
4. 内置的反向恢复二极管优化了性能,特别是在同步整流和续流二极管应用中。
5. 宽温度范围使其能够在极端环境下保持可靠的性能。
6. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
V180K0201C0G250NAT 的典型应用包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率级开关。
3. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电池管理系统(BMS)及电机控制器。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
5. 大功率 LED 驱动器。
6. DC-DC 转换器和升压/降压模块。
7. 其他需要高效功率管理的电子设备。
V180K0201C0G200NAT, V180K0201C0G300NAT