时间：2025/8/30 16:58:41
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V130LT20C 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET晶体管，属于垂直扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOS）类别。该器件主要设计用于高功率和高频率应用，例如电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及电池充电系统。V130LT20C采用了先进的沟槽栅极技术和优化的芯片设计，从而实现了较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的开关性能。该MOSFET通常封装在TO-220或TO-247等标准功率封装中，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：200V
最大漏极电流(Id)：130A
导通电阻(Rds(on))：约0.02 ohms
最大功率耗散(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C至175°C
栅极电荷(Qg)：约180nC
输入电容(Ciss)：约2800pF
封装类型：TO-220或TO-247
V130LT20C MOSFET具有多个关键特性，使其在高性能功率转换系统中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率，这对于高电流应用尤为重要。其次，该器件采用了先进的沟槽栅极技术，优化了开关性能，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。
此外，V130LT20C具备高耐压能力（200V），可在较高电压环境下稳定运行，同时保持良好的热稳定性。其高电流承载能力（130A）使其适用于需要大功率输出的场景，如工业电源、电机驱动器和储能系统。
该MOSFET的封装设计（如TO-220或TO-247）便于散热，提高了器件的热管理和可靠性，尤其在高负载条件下。此外，该器件还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，提高了在极端工作条件下的安全性和耐用性。
最后，V130LT20C的栅极电荷较低，有助于减少驱动电路的复杂性，并提高整体系统的响应速度。这些特性使其成为现代高效能电源管理系统中的理想选择。
V130LT20C广泛应用于多个领域，包括但不限于：工业电源、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机控制、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、电动车充电器以及功率因数校正（PFC）电路等。由于其高耐压、低导通电阻和高电流能力，它非常适合用于需要高效能和高可靠性的功率转换系统中。
IXFH130N20P, STP130N20C5, IRFP4668PBF
