时间：2025/8/16 9:50:39
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SZA3044Z是一款由Renesas Electronics生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及负载开关等应用场景。该器件采用高密度单元设计，具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点，适用于高效率、高频工作的电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：120A
导通电阻(RDS(on))：3.5mΩ（典型值，VGS=10V）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：LFPAK56（Power-SO8兼容）
功率耗散(PD)：120W
SZA3044Z MOSFET采用先进的沟槽式MOS技术，具有极低的导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。其高电流承载能力使其适用于高功率密度设计，同时其封装形式LFPAK56具备良好的热性能，有助于快速散热，提高器件在高负载条件下的可靠性。
该器件的栅极设计支持快速开关，降低了开关损耗，适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC转换器和电池管理系统。此外，SZA3044Z具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，并具备较强的抗过载能力。
由于其低栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），SZA3044Z在高频应用中表现出色，能够有效减少开关延迟和电磁干扰（EMI）。此外，其封装无铅且符合RoHS标准，满足现代电子产品对环保的要求。
SZA3044Z主要应用于汽车电子系统（如车载DC-DC转换器、起停系统、电动助力转向系统）、工业电源、服务器电源、电信设备、电池管理系统（BMS）、电机驱动和高功率负载开关等场景。其优异的导通特性和热性能使其成为高性能电源管理系统的理想选择。
SiSSA34DN, IPD90N30C3, FDP120N30T
