时间：2025/5/7 15:38:02
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KTC3875S-GR是一种高性能、低功耗的N沟道增强型MOSFET，主要用于开关电源、电机驱动、负载切换等应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度。
该芯片适合于要求高效率和紧凑设计的应用场景，并能够承受一定的瞬态电压冲击。此外，KTC3875S-GR具备出色的热性能，在高温环境下仍能保持稳定运行。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：24A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：39nC
输入电容：1690pF
工作温度范围：-55℃ to 175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以显著降低功率损耗。
2. 高速开关性能，有助于提高系统效率。
3. 较小的封装尺寸，方便布局与设计优化。
4. 具备较强的抗雪崩能力和鲁棒性，确保在异常条件下的可靠性。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
开关电源中的功率开关
DC-DC转换器
电机控制和驱动
负载开关
电池保护电路
汽车电子系统
工业自动化设备中的功率管理模块
IRF3710
FDP5500
AOT461
STP24NF06L
