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UZ5110 发布时间 时间:2025/12/24 18:00:43 查看 阅读:17

UZ5110 是一款由 UnitedSiC(现属于 Littelfuse)推出的碳化硅(SiC)功率场效应晶体管(FET),适用于高效率、高频率的电力电子应用。该器件基于碳化硅材料,相较于传统的硅基 MOSFET 和 IGBT,具备更低的导通损耗和开关损耗,能够工作在更高的频率和温度下,广泛应用于电源转换器、电动汽车充电系统、太阳能逆变器以及工业电源等领域。

参数

类型:碳化硅(SiC)功率场效应晶体管(MOSFET)
  最大漏源电压(Vds):650V
  最大连续漏极电流(Id):120A(Tc=25°C)
  导通电阻(Rds(on)):10mΩ(典型值)
  栅极电荷(Qg):110nC
  输入电容(Ciss):3800pF
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247-3

特性

UZ5110 的碳化硅技术赋予其卓越的电性能和热稳定性。首先,其导通电阻仅为10mΩ,使得在高电流工作条件下仍能保持极低的导通损耗,从而提升整体能效。其次,该器件具备极低的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss),使其在高频开关应用中表现出色,大幅减少开关损耗并提升系统响应速度。
  此外,UZ5110 采用 TO-247-3 封装,具备良好的散热性能和机械稳定性,适用于严苛的工作环境。其高耐压能力(650V)使其适用于多种中高功率应用,如DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机驱动和不间断电源(UPS)系统。
  该器件还具备出色的短路耐受能力,在异常工况下能够有效保护电路,提高系统的可靠性。同时,UZ5110 可以在高达175°C的结温下稳定工作,适用于高温环境下运行的系统设计。

应用

UZ5110 广泛应用于各类高效能电力电子系统中。由于其高耐压、低导通损耗和高频特性,非常适合用于高效能电源转换器,如双向DC-DC变换器、图腾柱PFC(功率因数校正)拓扑、车载充电器(OBC)和光伏逆变器。在电动汽车领域,该器件可用于车载充电系统和电机控制器,提升能效并减少散热需求。
  在工业电源方面,UZ5110 能够支持高频开关设计,有助于缩小磁性元件体积,提升功率密度。其在不间断电源(UPS)系统中的应用,可以有效提升系统的整体效率和动态响应能力。此外,该器件也适用于测试设备、工业自动化系统和数据中心电源模块等应用场景。

替代型号

SiC650K120AG、SCT3045KL、C3M0016120D

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UZ5110参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格100 : ¥256.50360散装
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)110 V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大值5 W
  • 阻抗(最大值)(Zzt)100 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5 μA @ 76 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)-
  • 工作温度-65°C ~ 175°C
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳B,轴向
  • 供应商器件封装B,轴向