容量：256Kbit（32K x 8）
　　电压范围：4.5V至5.5V
　　访问时间：最大55ns（-C后缀）
　　封装类型：28引脚DIP（Dual In-line Package）
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　输入/输出逻辑电平：TTL兼容
　　读写操作模式：异步
　　功耗：典型工作电流为100mA，待机电流小于10mA

HY62C256P-C是一种高性能、低功耗的异步SRAM芯片，具有出色的稳定性和可靠性。其高速访问时间为55ns，意味着它可以在一个非常短的时间内完成数据的读取或写入操作，适用于需要快速响应的系统设计。该芯片采用CMOS技术，具有较低的静态功耗，在待机状态下功耗极低，适合对功耗敏感的应用。此外，其TTL兼容输入/输出电平使其可以方便地与多种微处理器和控制器连接，无需额外的电平转换电路。该芯片的封装形式为28引脚DIP，便于手工焊接和插拔，适合在原型设计和实验中使用。工业级的工作温度范围确保其在恶劣环境中也能稳定运行，增强了其在工业控制和通信设备中的适用性。HY62C256P-C还具有良好的抗干扰能力和高噪声抑制性能，适合在电磁环境较复杂的系统中使用。

该芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制板、通信模块、测试设备、数据采集系统、网络设备以及消费类电子产品中。由于其高速访问时间和低功耗特性，特别适用于缓存、临时数据存储、缓冲区管理等场景。例如，在工业自动化设备中，HY62C256P-C可用于存储运行时数据和程序变量；在通信设备中，可用于缓存传输数据包；在嵌入式控制系统中，可作为主控芯片的外部扩展内存。

CY62148EVLL-55ZXI, IS61LV256AL-55CI