时间：2025/6/25 21:21:46
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FQPF2N80是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于各种功率转换和电机驱动应用。FQPF2N80通常用于开关电源、逆变器、DC-DC转换器以及工业控制等场景。
最大漏源电压：800V
连续漏极电流：1.9A
栅极阈值电压：2V~4V
导通电阻（Rds(on)）：3Ω（在Vgs=10V时）
总功耗：13W
结温范围：-55℃~+150℃
FQPF2N80具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，适合高压应用环境。
2. 低导通电阻，减少功率损耗并提高效率。
3. 快速开关速度，降低开关损耗。
4. 紧凑的封装设计，便于电路板布局。
5. 出色的热性能，能够承受较高的工作温度。
6. 高可靠性，经过严格的质量测试，适用于恶劣的工作条件。
FQPF2N80广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），用于高效能的电压转换。
2. 逆变器，例如太阳能逆变器和不间断电源（UPS）。
3. DC-DC转换器，用于汽车电子和通信设备。
4. 电机驱动，用于工业自动化和家用电器。
5. 工业控制，包括焊接设备和电动工具。
6. 各种需要高压切换的应用场合。
IRF840, STP2N80K5
