品牌：Samsung
　　型号：UWT1H3R3MCL1GB
　　设备类型：企业级固态硬盘 / 持久内存模块
　　容量：32GB
　　接口类型：DDR4 兼容或专有 ULLtraDIMM 接口
　　封装形式：DIMM 模块
　　电压：1.2V
　　工作温度：0°C 至 +70°C
　　存储温度：-40°C 至 +85°C
　　耐久性：极高，支持每日多次全盘写入（DWPD）
　　读取延迟：< 5μs
　　写入延迟：< 10μs
　　带宽：高达 3200 MT/s
　　纠错机制：LDPC 编码 + ECC 校验
　　数据保持时间：断电后至少 3 年（典型条件）
　　安全特性：支持硬件加密、安全擦除、写保护

UWT1H3R3MCL1GB 采用三星独有的 Z-NAND 技术架构，相较于传统 TLC 或 V-NAND NAND 闪存，Z-NAND 使用平面型单元结构并大幅缩小单元尺寸，从而实现更高的单元密度与更快的访问速度。其核心优势在于极低的访问延迟，通常可控制在微秒级别，远低于常规 SATA 或 NVMe SSD 的毫秒级响应时间。这种性能特征使其能够作为主内存与传统 SSD 之间的高速缓存层使用，显著提升整体系统 I/O 效率。该器件具备出色的写入耐久性，支持极高的每日写入量（DWPD），适合长时间运行的大规模数据写入任务。例如，在金融交易系统中，每一笔订单的记录都需要即时落盘以确保数据不丢失，而 UWT1H3R3MCL1GB 能够在保证低延迟的同时承受持续高强度的写操作。
　　此外，该模块内置先进的电源管理机制和断电保护电路，能够在意外断电时利用板载电容完成正在进行的写入操作，并将关键元数据安全保存至非易失性存储区，防止文件系统损坏或数据 corruption。它还集成了动态磨损均衡算法、坏块管理和全局垃圾回收机制，有效延长设备使用寿命并维持长期性能一致性。在可靠性方面，支持端到端数据路径保护、ECC 错误纠正码以及 LDPC 软解码技术，可在信号衰减或干扰环境下依然保障数据完整性。该器件也兼容主流服务器平台的内存总线协议，可通过 BIOS 和操作系统驱动进行识别与管理，支持热插拔（视平台而定）和在线固件升级功能，便于维护和扩展。由于其 DIMM 外形设计，安装简便且空间利用率高，特别适用于空间受限但性能要求极高的刀片服务器或紧凑型机架式系统。

UWT1H3R3MCL1GB 主要应用于对数据访问速度和系统响应时间有极致要求的企业级计算环境。典型应用场景包括大型关系型数据库（如 Oracle、SQL Server）的热数据缓存层，用于加速查询响应和事务处理效率；在高频交易系统中作为交易日志的持久化存储介质，确保每笔交易在纳秒级内完成持久化写入，满足金融行业严格的合规性要求；在虚拟化平台（如 VMware、Hyper-V）中为虚拟机提供超高速本地存储池，减少存储瓶颈，提高 VM 密度和资源利用率；在人工智能与机器学习训练过程中，用于快速加载大规模训练数据集，缩短模型迭代周期；在实时大数据分析平台（如 Apache Spark、Hadoop）中作为内存扩展层，弥补 DRAM 容量不足的问题，同时保留近似内存的访问速度；此外，也可用于电信领域的 5G 核心网用户面功能（UPF）数据缓冲、边缘计算节点的临时存储加速等前沿领域。该器件尤其适合部署于需要 7x24 小时连续运行、高可用性和强数据一致性的关键业务系统中。

MZILS32HMHP