时间：2025/8/6 12:30:57
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IXFN300N10P是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高功率和高频率的应用场景。这款MOSFET具有优异的导通和开关性能，适用于电源转换、电机控制、逆变器和其他高功率电子设备。
类型：N沟道
最大漏极电流：300A
最大漏-源电压：100V
最大栅-源电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：4.7mΩ
栅极电荷：260nC
工作温度范围：-55°C至175°C
IXFN300N10P具有低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。
该器件采用了先进的平面技术，以确保在高频率下仍然具有良好的性能表现。
它具有高耐压特性，漏-源电压可承受高达100V，适用于多种电源管理应用。
IXFN300N10P还具有较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗并提高系统的工作效率。
其高电流承载能力（300A）使其成为大功率应用的理想选择。
此外，这款MOSFET具有宽工作温度范围（-55°C至175°C），可以在恶劣的环境条件下稳定运行。
采用TO-263封装形式，具有良好的散热性能，适用于表面贴装。
IXFN300N10P广泛应用于电源转换器、DC-DC变换器、逆变器、UPS系统、电动车辆、电机控制以及工业自动化设备中。
由于其高电流和高频率性能，这款MOSFET非常适合用于需要高效能功率开关的场合。
在可再生能源系统（如太阳能逆变器）中，IXFN300N10P可用于实现高效的能量转换。
同时，它也可以用于高性能电源管理系统，如服务器电源和通信设备的电源模块。
此外，该器件在电动工具和电动车电机驱动系统中也有广泛应用。
IXFN300N10T, IXFN300N15P, IXFH300N10P
