时间：2025/12/28 11:20:34
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SDNT2012X101F3380HTF 是一款由Susumu公司生产的高精度、低温漂、高性能的薄膜片式电阻器，属于其先进的超小型精密电阻产品线。该型号专为对稳定性、精度和长期可靠性要求极高的应用而设计，广泛应用于精密测量设备、医疗仪器、工业控制、高端通信系统以及测试与测量仪器中。该器件采用先进的薄膜沉积技术制造，具有优异的电气性能和机械稳定性。其封装尺寸为2012（公制代码），即2.0mm x 1.25mm，符合标准的表面贴装技术（SMT）工艺要求，适合自动化高速贴片生产。该电阻的标称阻值为101Ω，允许的公差为±1%，温度系数低至±25ppm/°C，确保在宽温度范围内保持稳定的阻值表现。此外，该产品具备良好的耐湿性和抗老化能力，能够在恶劣环境条件下维持长期性能一致性。SDNT2012X101F3380HTF 中的后缀‘HTF’通常表示高温工作等级和无铅环保特性，适用于需要通过回流焊等高温工艺的现代电子组装流程。整体而言，这款电阻器代表了当前薄膜精密电阻技术的先进水平，在噪声抑制、功率处理能力和热稳定性方面均表现出色。
型号：SDNT2012X101F3380HTF
制造商：Susumu
封装尺寸：2012 (2.0mm x 1.25mm)
阻值：101 Ω
阻值公差：±1%
温度系数（TCR）：±25 ppm/°C
额定功率（+70°C）：0.1 W（100 mW）
最高工作电压：200 V
最大过载电压：400 V
工作温度范围：-55°C 至 +155°C
存储温度范围：-55°C 至 +155°C
引脚材料：陶瓷基板上镍铬合金电极
端接结构：Ni/Sn镀层（无铅兼容）
符合标准：AEC-Q200（部分版本）、RoHS、REACH
SDNT2012X101F3380HTF 薄膜电阻的核心优势在于其卓越的稳定性和精度表现。该器件采用真空薄膜沉积工艺，在高纯度陶瓷基板上形成均匀的金属膜层，从而实现非常低的电阻噪声和高度一致的电气特性。其±25ppm/°C的温度系数意味着即使在极端温度变化环境下，阻值漂移也非常小，确保系统在整个工作周期内维持高精度测量或信号调理功能。这种低TCR特性对于需要长时间连续运行且不能频繁校准的应用至关重要，例如精密放大器反馈网络、ADC/DAC参考电路、桥式传感器接口等。
该电阻的长期稳定性极佳，经过高温负载寿命测试后阻值变化小于±0.5%，显示出出色的抗老化能力。同时，其脉冲负载性能良好，能够承受短时过载而不发生永久性损伤，增强了系统的鲁棒性。在高频应用中，由于薄膜结构带来的低寄生电感和电容，该器件表现出优异的频率响应特性，适用于高速信号路径中的匹配和偏置电路。
机械方面，该器件采用坚固的陶瓷基板和优化的端子设计，具备良好的抗热冲击能力，能经受多次回流焊接而不损坏。其无铅端接设计符合现代环保法规要求，并兼容主流SMT生产线的焊接工艺窗口。此外，产品在出厂前经过严格的筛选和测试，包括阻值分选、高温老化、湿度试验等多项可靠性验证，以确保每一批次产品的质量一致性。这些综合特性使 SDNT2012X101F3380HTF 成为高端电子系统中不可或缺的关键元件。
该器件广泛用于对精度和可靠性要求极为严苛的领域。在医疗电子设备中，如病人监护仪、心电图机和血液分析仪，它被用于前端信号采集电路中的增益设置和偏置调节，确保微弱生理信号的准确放大与转换。在工业自动化系统中，常用于高精度传感器信号调理模块、PLC模拟输入输出卡、称重系统和过程控制器中，提供稳定的参考和反馈路径。
在通信基础设施中，该电阻可用于射频模块的偏置网络、光收发器内的跨阻放大器反馈环路以及基站中的电源管理单元，帮助维持系统在不同环境条件下的性能一致性。测试与测量仪器，如数字万用表、示波器和源表，也依赖此类精密电阻来构建内部基准链和分压网络，保障测量结果的准确性。
此外，在航空航天和国防电子系统中，由于其宽温域适应性和高可靠性，该器件可用于惯性导航系统、雷达信号处理单元和卫星通信终端等关键子系统。新能源领域的高端电池管理系统（BMS）和太阳能逆变器中的电流检测电路同样受益于其低漂移特性，有助于提高能量转换效率和系统安全性。总之，任何需要长期稳定、高精度电阻性能的应用场景都是 SDNT2012X101F3380HTF 的理想选择。
SRD2012-X101FSLT
RT062012BS0101F
ERJ-P02X101V
