时间：2025/9/1 20:13:53
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H5TQ4G83AFR-PBJ 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款存储器采用先进的DRAM技术，具备高速读写性能和较低的功耗，适用于对内存容量和性能有较高要求的电子设备。其封装类型为FBGA，容量为4GB，电压为1.8V，工作温度范围广泛，适用于多种工业和消费类应用。
容量：4Gb
组织结构：x8/x16
封装类型：FBGA
电压：1.8V
工作温度范围：-40°C至+85°C
数据速率：166MHz
数据宽度：8位或16位
存储类型：DRAM
时钟频率：166MHz
H5TQ4G83AFR-PBJ 采用先进的DRAM技术，具有高速数据读写能力，能够满足高性能系统对内存的严格要求。该芯片的功耗较低，适合对能耗敏感的应用场景，例如便携式设备和嵌入式系统。此外，该DRAM芯片支持多种工作模式，包括自动刷新、自刷新和深度掉电模式，用户可以根据具体应用需求灵活选择操作模式，从而进一步优化系统性能和功耗。
这款芯片的封装采用小型化的FBGA设计，占用PCB面积小，适合高密度电路布局。其内部存储单元阵列优化了数据存取时间，从而提升了整体的存储性能。H5TQ4G83AFR-PBJ 还支持突发模式操作，能够连续快速地传输数据，适用于需要高带宽的应用场景，如网络设备、通信模块和工业控制系统等。
H5TQ4G83AFR-PBJ 主要应用于嵌入式系统、工业计算机、网络设备、消费类电子产品（如智能电视、机顶盒）、通信模块以及各种需要高速存储的场景。由于其高性能和低功耗特性，该芯片也可用于需要大量数据缓存的场合，例如视频处理、图像采集和数据中继等。此外，该芯片适用于各种主控芯片或FPGA的外扩存储器，用于提升系统的处理能力和数据吞吐量。
H5TQ4G63AFR-PBC, H5TQ4G83BFR-PBJ
