时间：2025/10/6 23:16:06
阅读：9
UVY2D010MED是一款由ROHM Semiconductor（罗姆半导体）生产的P沟道MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），采用小型表面贴装封装（通常为S-Mini或类似的小型化封装），专为在电池供电设备和便携式电子产品中实现高效功率开关而设计。该器件因其低导通电阻、小尺寸和高可靠性，广泛应用于需要节省空间并降低功耗的现代电子系统中。作为P沟道MOSFET，UVY2D010MED在栅极相对于源极为负电压时导通，常用于高端开关配置，能够简化驱动电路设计，尤其适合在负载切换、电源管理模块以及电池保护电路等场景中使用。该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的热稳定性和抗静电能力，确保在各种工作环境下的长期稳定运行。
型号：UVY2D010MED
制造商：ROHM Semiconductor
晶体管类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压（V_DSS）：-20V
最大连续漏极电流（I_D）：-1.9A（@ V_GS = -4.5V）
导通电阻（R_DS(on)）：135mΩ（@ V_GS = -4.5V）
导通电阻（R_DS(on)）：180mΩ（@ V_GS = -2.5V）
栅源阈值电压（V_GS(th)）：-0.6V ~ -1.0V
最大功耗（P_D）：300mW
工作结温范围（T_J）：-55°C ~ +150°C
封装类型：S-Mini
UVY2D010MED具备优异的低导通电阻特性，这使其在高电流开关应用中显著降低了导通损耗，从而提高了系统的整体能效。其R_DS(on)在-4.5V的栅源电压下仅为135mΩ，在更低的-2.5V驱动电压下也能保持在180mΩ以下，表明该器件即使在低电压逻辑控制环境下仍具有良好的导通性能，适用于由3.3V或更低电压微控制器直接驱动的应用场景。这种低门槛驱动能力减少了对外部电平转换电路的需求，简化了系统设计并降低了物料成本。
该器件采用ROHM先进的沟槽型MOSFET制造工艺，确保了器件在高温和高负载条件下的稳定性与可靠性。其-20V的漏源击穿电压适合于12V及以下的低压直流系统，如移动设备、可穿戴电子产品、IoT终端设备和便携式医疗仪器。同时，其-1.9A的最大连续漏极电流能力足以支持大多数中小功率负载的开关需求。
S-Mini封装是UVY2D010MED的一个关键优势，该封装体积小巧，占用PCB面积极小，非常适合高密度布局的现代电子产品。尽管封装微型化，但其热性能经过优化，能够在有限的空间内有效散热。此外，器件内部结构设计考虑了寄生参数最小化，降低了开关过程中的振铃和电磁干扰，提升了系统的EMI性能。
UVY2D010MED还具备良好的抗静电放电（ESD）能力，增强了在生产和使用过程中对静电损伤的耐受性。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在恶劣温度环境下稳定运行，适用于工业级和消费级多种应用场景。综合来看，该器件在性能、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡，是现代低功耗、高集成度电子产品中理想的P沟道功率开关解决方案。
UVY2D010MED广泛应用于各类便携式和低功耗电子设备中，主要用于电源开关、负载切换和电池管理系统等领域。在智能手机、平板电脑和智能手表等移动设备中，它常被用作电池与主系统之间的高端开关，实现电源路径管理，在待机或关机状态下切断非必要电路的供电，以延长电池续航时间。此外，该器件也适用于USB电源开关、充电控制电路以及过流保护模块，能够快速响应控制信号，实现精确的电源通断控制。
在物联网（IoT）节点设备中，UVY2D010MED可用于控制传感器、无线模块（如Wi-Fi、蓝牙、LoRa）等外设的供电，实现按需供电的节能策略。由于其低静态功耗和快速开关响应，非常适合作为动态电源管理中的关键元件。在可穿戴设备中，受限于空间和电池容量，对元器件的小型化和效率要求极高，UVY2D010MED的小尺寸和低R_DS(on)特性使其成为理想选择。
该器件还可用于各类消费类电子产品中的LED背光驱动或指示灯控制电路，作为电流开关使用。在工业手持设备、便携式测试仪器和低功耗嵌入式系统中，UVY2D010MED同样发挥着重要作用，提供可靠的电源隔离和负载控制功能。其P沟道结构特别适合高端开关应用，避免了N沟道MOSFET所需的复杂栅极驱动电路，从而简化设计并降低成本。总之，凡是需要小型化、低功耗、高可靠性的P沟道MOSFET开关的场合，UVY2D010MED均是一个极具竞争力的选项。
DMG2305UX-7
RMB200P02TL
Si2301DS
